第7章半导体器件要点分析.ppt

第7章 半导体器件 7.1 半导体的基本知识 一、 本征半导体（纯净半导体） 本征半导体的导电性： 二、 杂质半导体 综上所述： 7.2 半导体二极管 半导体二极管实物图片 二、伏安特性 三、应用: 7.3 稳压二极管 3. 主要参数 7.4 半导体三极管 一、基本结构 二、电流放大原理 2. 各极电流关系及电流放大作用 三、特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 四、主要参数 1. 电流放大系数，? 五、半导体三极管应用 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压UCEO (BR) IC超过一定值时，其?值要下降。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U CEO(BR) 。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 过损耗区 过流区 反向击穿区 工作在放大状态，利用IB对IC的控制作用。  1.用于交流放大电路中 IC = ICEO ≈0， c、e之间相当于断路， 三极管相当于一个开关处于断开状态。 UCES ≈0， c、e之间相当于短路， 三极管相当于一个开关处于接通状态。 2.用于数字电路中 工作在截止或饱和状态，利用其开关特性。 截止时： 饱和时： “开” “关” 本章要求： 1.理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 2.了解二极管、稳压管和三极管的工作原理和特 性曲线，理解主要参数的意义； 3.会分析二极管和三极管的电路。 ☆学会用工程分析方法，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 1.对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 2.元器件本身是非线性的，具有分散性，元器件的值有误差，工程上允许一定的误差。 ☆对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 为什么具有这些导电特性？ 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显 改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二 极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 单晶硅(Si)的原子结构平面示意图 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 共价键 价电子 常用的半导体材料：硅 Si(Silicon) 和锗 Ge(Germanium) 均为四价元素，原子最外层有4个价电子。 这种纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 温度(T)一定时，载流子数量一定。当T↑时，载流子数量↑。 (3)价电子依次填补空穴，进而产生了电子电流和空穴电流。 (2)在室温下受热激发时， (1)在绝对零度 (T=0K)时不导电，相当于绝缘体； 产生电子空穴对； 半导体中有两种载流子：电子和空穴 这就是半导体导电的重要特点。 自由电子 空穴 半导体的导电性能受温度影响很大。 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 共价键 ---N型半导体和P型半导体 掺入微量的五价元素：磷P(或锑) 1. N型半导体: 多数载流子为电子， 少数载流子为空穴。 在室温下就可以激发成自由电子 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 共价键 掺入微量的三价元素：硼B(或铝) 2. P型半导体: 受主原子 空位吸引邻近原子的价电子填充。 多数载流子为空穴， 少数载流子为电子。 二、 杂质半导体 无论N型还是P型半导体，对外都呈电中性。 注意： (1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (2)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负