3D封装技术及其发展.docVIP

电子知识 3D封装(5) 　　随着国际电子信息行业新的变革，3D封装蓬勃兴起。为了在封装之内硬塞进更多功能，芯片制造商被推到了极限。此外，我们不能忘记更加棘手的互连问题。采用Z方向封装，或者说3D芯片封装是很好很合理的解决方式。 　　3D封装的出现，改变了以往先封装后组装的模式，使封装工艺与前道工艺紧密地结合在一起。为了延续摩尔定律的增长趋势，芯片技术已进入“超越摩尔定律”的3D集成时代。以模块化封装，晶圆级封装和硅通孔技术为标准的3D封装集成技术将加速CMOS晶圆厂的合并、以及向无晶圆厂模式转变的趋势，最终3D封装技术与SMT技术合二为一。 　　3D封装发展中的难题： 　　1，减薄：减薄技术面临的首要挑战就是超薄化工艺所要求的50mu;m的减薄能力。 　　2，3D-TSV面临通孔的刻蚀问题。 　　3，质量评价与检测技术相关设备。 　　4，实时工艺过程的实时检测问题：这一问题会导致出现高损耗。 　　3D技术遇到的这些问题现已经解决。电子发烧友们已经研究出了相应的解决方法与仪器。 　　许多公司都在寻求密度更高的3D芯片封装。Amkor、IBM、IMEC、Intel、Qimonda AG、Samsung, STATS ChipPAC、Tessera、德州仪器、Tezzaron、Xanoptix、Ziptronix以及ZyCube都在研究3D芯片封装。 　　例如，先进半导体组装和测试服务提供商Amkor技术公司，以及位于比利时的非赢利性的纳米电子和纳米技术研究中IMEC，达成了一个为期两年的合作协议，开发成本效益高的3D集成技术，此技术将基于晶圆级处理技术。 　　另外IBM和3M公司计划联合开发粘合剂把半导体封装为密集地叠放的芯片塔—3D封装。使用这种芯片将提高智能手机、平板电脑、计算机和游戏设备的速度。估计将实现提速1000倍。 　　可见3D封装技术正一步步走向成熟，正慢慢的成为封装技术的首选。小编相信3D封装会在检测仪器与接口器件等领域掀起一股革新的潮流，必将为封装技术的发展做出巨大的贡献。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了