8功率放大电路要点分析.pptVIP

四、功率BJT的选择 因为 当 ≈0.6VCC 时具有最大管耗 ≈0.2Pom 选管依据 最大管耗和 最大输出功率的关系 例 已知：VCC = VEE = 24 V，RL = 8 ?， 忽略 UCE(sat) 求 Pom 以及此时的 PV、PC1， 并选管。 [解] PV=?2V2CC / ?RL = 2 ? 242 // (? ? 8) = 45.9 (W) RL V1 V2 +VCC + ui ? + uo ? ?VEE = 0.5 (45.9?? 36) = 4.9 (W) U(BR)CEO 48 V ICM 24 / 8 = 3 (A) 可选： U(BR)CEO = 60 ? 100 V ICM = 5 A PCM = 10 ? 15 W 选管参数计算如下： 8.3 甲乙类互补对称功率放大电路 二、 甲乙类单电源互补对称电路 一、 甲乙类双电源互补对称电路 甲乙类：导通角大于180° 丙类：导通角小于180° 功率放大电路提高效率的主要途径 乙类工作状态：晶体管仅在输入信号的半个周期内导通，静态电流为零，波形失真严重，管耗小，效率高。 1、乙类互补对称电路存在的问题 一、 甲乙类双电源互补对称电路 死区电压 2、利用二极管进行偏置的互补对称电路 2、利用二极管进行偏置的互补对称电路 缺点：偏置电压不容易调整 另一种形式的甲乙类双电源互补对称电路 电路不同，功效相同！ 把握甲乙类的本质！ VBE4可认为是定值 R1、R2不变时，VCE4也是定值，可看作是一个直流电源。 仍用乙类双电源互补对称功放电路的公式计算！ 3、利用UBE电压倍增电路进行偏置的互补对称电路 二、 甲乙类单电源互补对称电路 静态时，偏置电路使 VK＝VC≈VCC/2（电容C充电达到稳态）。  结束 当有信号vi时 负半周T1导通，有电流通过负载RL，同时向C充电 正半周T2导通，则已充电的电容C通过负载RL放电。 计算Po、PT、PV和PTm的公式必须加以修正，以VCC/2代替原来公式中的VCC。 8.4 集成功率放大电路 一、功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 二、 功率VMOSFET和DMOSFET 一、功率器件的散热与功率BJT的二次击穿问题 功率BJT的散热问题 功率管允许的输出功率、功耗与其散热情况密切相关。 （1）热阻——表征散热能力 阻碍热传导的阻力称为热阻（可以与电阻比对）。 热阻小表明管子的散热能力强，允许的集电极功耗大。 （2）散热等效热路 等效热路与集电结到管壳的热阻、管壳到散热片的热阻以及散热片到空气的热阻有关。 管壳与散热片之间绝缘层要少、接触面积大、紧固。 2. 功率BJT工作不应进入二次击穿区 无明显特征情况下，功率BJT突然失效或性能显著下降。 （1）二次击穿的原因 具体原因理论界还不统一。一种多数观点是流过BJT结面的电流不均匀，造成结面局部高温，产生热击穿所致。 （2）二次击穿的影响 BJT的安全工作区要受到击穿临界曲线的限制； BJT的安全工作范围变小。 3. 功率BJT可靠性的提高途径 提高BJT可靠性的途径是使用时降低额定值 在最坏条件下，工作电压不应超过极限值的80%； 在最坏条件下，工作电流不应超过极限值的80%； 在最坏条件下，工作功耗不应超过器件最大工作环境温度下的最大允许功耗的50%； 工作时，结温不应超过器件允许最大结温的80%。 功率BJT的保护措施 （1）为防止过压或过流，在负载两端并联二极管和电容； （2）为吸收瞬时过压，在功率管两端并联稳压管。 二、 功率VMOSFET和DMOSFET 1. VMOS 结构特点： （1） 在垂直方向生成的“V”形槽； （2） 源极和漏极成纵向排列，导电沟道是垂直的。 VMOS管的功能特点： （1） 漏区面积大，有利于散热片进行散热； （2） 沟道间呈并联关系，允许漏极电流很大； （3） 耗尽区出现在轻掺杂层，击穿电压高； （4） 非线性失真很小。 2. DMOS 结构特点： （1） 既有N+又有P+，是双扩散MOS管； （2） 源极和漏极成纵向排列； （3） 沟道很短，呈横向排列，但电流是纵向的。 VMOS管和DMOS管的优点： （1） 电压控制电流器件，输入电阻极高，驱动电流极小，功率增益高； （2） 器件温度上升限制电流，故VMOS管不可能有热击穿，不会出现二次击穿； （3） 极间电容小，所以大功率管可用于高频电路或开关