CMOS第1-1章教案解析.pptVIP

模拟CMOS集成电路设计  Analog CMOS Integrated Circuits[美] 理查德·拉扎维 著西安交通大学出版社 刘慧敏 lhmdxx1@ 参考书目 一 本课程学什么？ 采用当今流行的CMOS工艺，讨论模拟集成电路的分析和设计原理。具体应当掌握以下内容： 1建立模拟集成电路设计的基础----工艺和器件模型 2 模拟集成电路直观分析、设计和仿真的方法 3 层次化、自下而上的分析方法 4 直观的、基于简单分析模型的分析方法 5 电路设计的步骤和方法 6 模拟集成电路设计EDA工具的正确使用方法 系统应用 锁相环、数模/模数转换器、滤波器 基本放大器 运算放大器、带隙基准、 比较器 简单放大电路 共源、共栅、共漏、差分、电流镜、… 器件 MOS器件模型、版图设计 二 怎么学？ 三考核方法 平时作业及设计课题 15% 阶段考试 15%（单人单机） 期末 70% 第一章模拟集成电路设计绪论 混合信号“蛋壳” 1CMOS半导体器件的制作过程 2晶体管的发明人及相关信息 3集成电路按比例缩小的CE和CV理论 4摩尔定律（内容、提出者） 5全球著名半导体厂商简介及LOGO 6模拟集成电路的市场应用 7CMOS器件与BJT晶体管的区别 8什么是电路设计的鲁棒性？ 从沙子到芯片—— 集成电路(IC)的发展过程？ 1954年贝尔实验室使用800只晶体管组装了世界上第一台晶体管计算机TRADIC。 集成电路(IC)的发展 Noyce于1959年提出在单一半导体衬底上制造集成电路，为集成电路的平面制造工艺奠定了基础，他成为集成电路的共同发明人 平面工艺的开发使集成电路可量产，半导体产业由发明时代进入商用时代。 平面工艺：利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发、刻蚀等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件 晶体管是现代电子学的基石，而Intel此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是“重新发明了晶体管”。 半个多世纪以来，晶体管一直都在使用2-D平面结构，现在终于迈入了3-D三维立体时代。 3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。 1 MOSFET是怎样构成的？ 2MOSFET的两个PN结和三个基本几何参数是什么？ 3MOSFET的阈值电压是什么？ 4MOSFET是怎样工作的？ 5MOSFET的工作区分别是什么怎样界定的？相应的电压电流的关系是怎样的？ 6MOSFET的二级效应分别是什么 7MOS电容有哪些？ 8MOSFET的低频小信号模型的画法是什么？ 裸片（die）是没有经过封装的芯片，裸片上只有用于封装的压焊点（pad），是不能直接应用于实际电路当中的。并且裸片极易受外部环境的温度、杂质和物理作用力的影响，很容易遭到破坏。所以必须封入一个密闭空间内，引出相应的引脚，才能作为一个基本的元器件使用。 我们将裸片绑定在芯片内部，芯片电路用金线与封装管脚连接。绑定后用黑色胶体将芯片封装。 红圈里面就是裸片，注意它周围细小的金线，裸片就是通过这些细小的金线与管脚相连接的。 通过独立设计裸片内部集成电路，独立连接金线封装芯片，制作出了一些有实际应用价值的芯片。 1958年，杰克?科比（Jack Kilby）在一片硅晶体上制成了第一个微芯片，标志着集成电路时代的到来，也标着电子技术进入了一个飞速发展的全新时代。 Robert Noyce(Intel) Clair Kilby (TI) 于2000年获得诺贝尔物理学奖 迎接电子产品设计的下一个高峰 SoftwareHardware High data rate Resemble Product (RP) 20XX’s? System on Chip (SOC) Analog IC Digital IC RFIC 1995 1990’s to 20XX’s Figure 17 Prospect of a communication system Hardware Hardware-Software Software LNA Down- converter De- Modulator D to A PA Up- converter Modulator A to D Cont