CMOS模拟集成电路设计单级放大器教案解析.pptVIP

CMOS模拟集成电路设计 单级放大器 报告人：艾 力 组 员：艾 力、 刘 枫、孟祖东、 顾后荻、 陈 波、向国明、 范宗学、 朱万青、靳 行 苏致炜 提纲 1、共源级放大器 2、共漏级放大器（源跟随器） 3、共栅级放大器 4、共源共栅级放大器 1、共源级放大器 1.1 电阻做负载的共源级放大器 大信号分析 小信号分析 讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性 1.2 MOS二极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接 增益 NMOS二极管连接做负载 讨论 增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。 高增益要求会造成集体管的尺寸不均衡。 1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 获得更大的增益 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 长沟器件可以产生高的电压增益。 同时增加W、L将引入更大的节点电容。 ↑ID→ AV ↓ 1.4 带源级负反馈的共源级放大器 小信号直接分析方法 考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为 小信号等效分析 计算Gm 计算Rout 计算Av 2、共漏级放大器（源跟随器） 大信号分析 当VinVTH时，M1处于截止状态，Vout等于零； 小信号分析 采用电流源的源跟随器 考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载， 讨论 即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。 将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现。 源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。 3、共栅级放大器 大信号分析 （Vin从某一个大值开始减少） 当Vin≥Vb－VTH时， M1处于关断状态，Vout＝VDD 由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时 小信号分析 （考虑晶体管的输出电阻及信号的阻抗） 增益 输入阻抗 输出阻抗 与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。 4、共源共栅级放大器 偏置条件 使M1，M2都处于饱和区， 小信号分析 增益 输出阻抗 讨论 折叠式共源共栅放大器 所谓“折叠”针对小信号电流。小信号分析与共源共栅放大器一致。 为了获得相当的性能，折叠式共源共栅放大器的总偏置电流应该比共源共栅放大器的大。 大信号分析 小结 小结 参考文献 [1] Behzad Razavi. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. ISBN: 0-07-238032-2 [2] Y.Tsividis. Operation and Modeling of the MOS Transistor.Second ED. , Boston: McGraw-Hill,1999 [3] 康华光，《电子技术基础模拟部分》，高等教育出版社， 第五版，2006-01 [4] 胡斌，《图表细说电子技术图》，电子工业出版社，2008-06 [5] 赛德雷等著，周玲玲等译，《微电子电路》，第五版，电子工业出版社，2006-07 共源共栅级放大器 讨论（续） 可用来构成恒定电流源。 高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。 采用PMOS的共源共栅结构，电流源的 表现的输出阻抗为 因此， 而Gm≈gm1，所以，电压增益近似等于 消耗较大的电压余度，采用共源共栅电流源的共源共栅放大器的最大输出摆幅 共源共栅级放大器 共源共栅级放大器 如果VinVDD-|VTH1|，M1截止，电流I1全部通过M2，有Vout=VDD-I1RD 如果VinVDD-|VTH1|，M1开启处于饱和区， 随着Vin ↓ ，ID2↓，当ID1=I1时，ID2＝0，有 当Vin下降到Vin1以下，ID1趋向大于I1，迫使M1进入线性区使ID1=I1。 － － 差 好 较好 － 线性度 － ∞ 忽略λγ 带源级负反馈 小 ∞ 忽略λ 忽略λ 二极管 负载 电阻负载 － 忽略λ 共栅极 ∞ ∞ ∞ 输入电阻 小 共源共栅级 （电流源负载） 小 忽略λ 忽略λ 共漏极 （电流源负载） － 共源级 摆幅 输出电阻 小信号增益 直流或低频下！ 电路仿真是必不可少的！ 不要让计算机替你去思考！ * * 提纲 共源级放大器 cutoff active triod