半导体物理学第三章教案详解.pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 半导体物理学 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体异质结构 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓流3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子分布3.6 简并半导体3.7补充材料：电子占据杂质能级的概率 T0 本征激发 （intrinsic excitation） electron-hole pair 复合:反过程 杂质激发和复合 动态平衡 温度改变：达到新的平衡 热平衡状态 载流子：电子、空穴 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 3.1 状态密度 目标：电子和空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中单位能量间隔内有多少个量子态（状态密度）。 从而dE间隔内量子态dZ 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为E的量子态被电子占据的几率是多少（分布函数f(E)）。 将两者相乘后dZ*f(E)除以晶体体积V就得到 区间的电子浓度dn，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度n。 状态密度 §3.1状态密度 §3.1状态密度 §3.1状态密度 §3.1 §3.1 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.1载流子的统计分布函数及能量状态密度 态密度 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓度3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子分布3.6 简并半导体3.7补充材料：电子占据杂质能级的概率 费米统计 根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律 对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率 为 称为电子的费米分布函数 空穴的费米分布函数？ 费米分布函数 当 时 若 ，则 若 ，则 在热力学温度为0度时，费米能级 可看成量子态是否被电子占据的一个界限 当 时 若 ，则 若 ，则 若 ，则 费米能级是量子态基本上被 电子占据或基本上是空的一 个标志 费米能级 称为费米能级或费米能量】 是分布函数的参考能级 由“系统中电子总数恒定”条件来确定 是参考能级，不是真正能级，电子不一定占据 比如：本征半导体费米能级在禁带，但禁带无电子 系统的化学势（chemical potential） 反映了半导体的导电类型，也反映了半导体的掺杂水平 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 Fermi分布函数 热平衡条件下半导体中电子按能量大小服从一定的统计分布规律。能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率为 据上式，能量比EF高5k0T的量子态被电子占据的几率仅为0.7%；而能量比EF低5k0T的量子态被电子占据的几率高达99.3%。 如果温度不很高，那么EF ±5k0T的范围就很小，这样费米能级 EF就成为量子态是否被电子占据的分界线： 1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的； 2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的； 3) 能量等于费米能级的量子态被电子占据的几率是50%。 费米分布函数中，若E-EFk0T，则分母中的1可以忽略，此时 上式就是电子的玻耳兹曼分布函数。 同理，当EF-Ek0T时，上式转化为下面的空穴玻耳兹曼分布 半导体中常见的是费米能级EF位于禁带之中， 并且满足Ec-EFk0T或EF-Evk0T的条件。 因此对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，即起作用的载流子都在能带极值附近。 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体；而将服从费米统计分布规律的半导体称为简并半