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半导体物理习题二 2010年10月23日 姓名 学号: 习题请直接做在此页面上，完成后发往 luming.sjtu42@ 1，设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近的能量Ec (k) 为 价带极大值附近的能量Ev (k) 为 式中m 为电子质量，k1 =π/a，a = 3.14? 试求： （1）晶体的禁带宽度； （2）导带底电子的有效质量； （3）价带顶电子的有效质量。 1）解：根据 可求出对应导带能量极小值 Emin 的 k 值： 代入 Ec (k) 得 同样对 Ev (k) 求导并令等于零，求出价带能量极大值 Emax对应的 k 值为零，代入 EV (k) 得 晶体的禁带宽度等于 Ec - Ev = Emin - Emax 代入已知数据得 2）解： 导带底电子的有效质量 3）解：价带顶电子的有效质量 2， 设晶格常数为a 的一维晶体，其电子能量E 与波矢k 的关系是 (1) 讨论在这个能带中的电子, 其有效质量和速度如何随k 变化； (2) 设一个电子最初在能带底，受 到与时间无关的电场作用，最后达到大约 k =π/2a 的状态，试讨论电子在真实空间中位置的变化规律。 解：1）将 改写为 代入 得 2) 由上图可以看出，对于远离π / 2a 的 k 状态，可以近似 →地认为电子的有效质量是常数，我们用 m0 来表示它。在电场 ε 的作用下，电子的运动方程为 积分，有 能带底，即 k = 0 状态电子速度为零。 故 t0 = 0，v0 = 0，于是 → → v = dx / dt，代入上式再积分： 设电子的初始位置 x0 = 0 则 表明，最初在带底静止的电子，在电场的作用下，沿着与电场相反的方向作匀加速运动。 3， 根据图示能量曲线E(k) 的形状，试回答： (1) 在 I，Ⅱ，Ⅲ 三个带中，哪个带的电子有效质量数值最小？ (2) 考虑 I，Ⅱ 两个带充满电子，而 Ⅲ 带全空的情况， 若少量电子进入 Ⅲ 带， 在Ⅱ 带中产生同样数目空穴， 问Ⅱ 带空穴有效质量比 Ⅲ 带电子有效质量大，还是小？ 解： 1) 电子有效质量的数值与 ?E2/?k2 成反比，能带愈宽， ?E2/?k2 愈大。电子有效质量愈小。 第 Ⅲ 能带最宽， 故电子有效质量数值最小。 2) 第 Ⅱ 带顶附近的少量电子进入 Ⅲ 带，它们将占据第 Ⅲ 带底附近的状态， 少量空穴则处于带顶附近的状态。空穴的有效质量定义为电子有效质量的负值。 由于 所以Ⅱ 带中空穴的有效质量数值大于Ⅲ 带中电子的有效质量数值。 4， 证明能带中k 状态的电子和 – k 状态的电子速度大小相等，方向相反，即： 解： → k 状态电子的速度为： → -k 状态电子的速度则为 一维情况下，不难看出 同理有： 亦为 即得 另外，在一维情况下， → → → k 和 –k 处 E( k ) 函数具有相等但相反的斜率同样能导出上述结果。 → → → → 考虑到， E( k ) ＝ E( -k )，电子占有 k 状态的几率和占有–k 状态的几率相同，这两个状态上的电子电流相互抵消，所以无外场时，晶体总电流等于零。 5，晶格常数 2.5 埃的一维晶格，分别计算外加100 V／m 和10 7 V／m 电场时，电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：设电场强度为ε 于是 代入数据得： ε =10 2 V/m，t = 8.3×10 – 8 (s) ε =10 7 V/m， t =0.83×10 –12 (s) 问答题 根据下图试问答为什么说 掺杂越重，费米能级离能隙中心越远；温度越高，费米能级离能隙中心越近。 答： 首先考虑多数载流子，有 考虑少数载流子，则： 对 P 型样品指数项作同样操作： N 型样品的费米能级高于能隙中点； P 型样品的费米能级低于能隙。 显然，掺杂越重，费米能级离能隙中心越远； 温度越高，费米能级离能隙中心越近。 1/ 2a 0 -1/ 2a k E