高频5-3要点详解.pptVIP

1. 谐振功率放大器的动态特性 　　晶体管的静态特性是在集电极电路内没有负载阻抗的条件下获得的。如，维持集电极电压vCE不变，改变基极电压vBE ，就可求出ic–vBE静态特性曲线。如果集电极电路有负载阻抗，则当改变vBE使ic变化时，由于负载上有电压降，就必然同时引起vCE的变化。 5.3.3　谐振功率放大器的动态特性与负载特性 * 　 所谓动态特性是和静态特性相对应而言的，在考虑了负载的反作用后，所获得的vCE、vBE 与 ic 的关系曲线就叫做动态特性。 * 当放大器工作于谐振状态时，它的外部电路关系式为 vBE= –VBB+Vbmcos?t vCE= VCC–Vcmcos?t 消去cos?t可得， vBE= –VBB+Vbm 代入晶体管的折线化方程中 ic = gc(vBE–VBZ) 得出，在ic–vCE坐标平面上的动态特性曲线(负载线或工作路)方程： = gd(vCE– V0) * 　　图中，动态特性曲线的斜率为负值，它的物理意义是： 　　从负载方面看来，放大器相当于一个负电阻，亦即它相当于交流电能发生器，可以输出电能至负载。 根据上式可作出功放的动态特性曲线如图所示： ic = gd(vCE– V0) * 动态线作法：AB为动态特性曲线，也称为工作路。 ⑴取B点，使OB＝V0； ⑵从B点作斜率为gd的直线 AB。 ic –vCE坐标平面上的动态特性曲线的作法与相应的ic波形 ic = gd(vCE– V0) * ⑵Q点(静止点)： ＝90?， vCE＝VCC， 虚拟电流ic=IQ＝gc（－VBB－VBZ） 另一种方法： ⑴A点 ： ＝0， vBE达到最大， vCE达到最小， iC达到最大； vBE= –VBB * 　　用类似的方法，可得出在ic –vBE坐标平面的动态特性曲线。 实际工作中，晶体管工作于放大区和截止区时， ic几乎不受集电极电压的影响，因而在ic –vBE坐标平面上的动态特性曲线几乎和静态特性曲线重合。 * 　 高频放大器的工作状态是由负载阻抗Rp、激励电压vb、供电电压VCC、VBB 4个参量决定的。 　 如果VCC、VBB、vb 3个参变量不变，则放大器的工作状态就由负载电阻Rp决定。此时，放大器的电流、输出电压、功率、效率等随Rp而变化的特性，就叫做放大器的负载特性。 　 2. 功率放大器的负载特性 * 　　1) 在负载电阻RP由小至大变化时，负载线的斜率由小变大，如图中1?2?3。不同的负载，放大器的工作状态是不同的,所得的ic波形、输出交流电压幅值、功率、效率也是不一样的。 * * 2) 欠压、过压、临界三种工作状态 ① 欠压状态: 临界线以右的区域。在欠压区至临界点的范围内，根据Vcm=RpIcm1，放大器的交流输出电压在欠压区内必随负载电阻RP的增大而增大，其输出功率、效率的变化也将如此。 根据负载线与VBEmax相交在不同区域，可分为三种工作状态: * ② 临界状态: 负载线和vBE max正好相交于临界线上。放大器工作在临界状态时，输出功率大，管子损耗小，放大器的效率也就较大。 * ③ 过压状态时，放大器的负载较大，如动态线3就是这种情况。动态线穿过临界点A4后，电流沿临界线下降，因此集电极电流ic呈下凹顶状，过压愈重，则ic波顶下凹愈厉害，严重时，ic波形可分裂为两部分。根据傅里叶级数对ic波形分解可知，波形下凹的ic，其基波分量Icm1会下降，下凹愈深，则Ic0、Icm1的下降也就愈激烈。因此放大器的输出功率和效率也要减小。 * 根据上述分析，可以画出谐振功率放大器的负载特性曲线 负载特性曲线 * 欠压状态的功率和效率都比较低，集电极耗散功率也较大，输出电压随负载阻抗变化而变化，因此较少采用。但晶体管基极调幅，需采用这种工作状态。 负载特性曲线 * 过压状态的优点是，当负载阻抗变化时，输出电压比较平稳且幅值较大，在弱过压时，效率可达最高，但输出功率有所下降，发射机的中间级、集电极调幅级常采用这种状态。 负载特性曲线 * 临界状态的特点是输出功率最大，效率也较高，比最大效率差不了许多，可以说是最佳工作状态，发射机的末级常设计成这种状态，在计算谐振功率放大器时，也常以此状态为例。 掌握负载特性，对分析集电极调幅电路、基极调幅电路的工作原理，对实际调整谐振功率放大器的工作状态和指标是很有帮助的。 负载特性曲线 * 　　调整欠压、临界、过压三种工作状态，大致有以下几种方法： 　　改变集电极负载Rp； 　　改变供电电压VCC；