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地线反弹与对策 若电流为5kA，地线阻抗为0.5?，则反弹电压达到2500V ! 较高的浪涌电压依然加在设备与地线上。 再并联一个抑制器 VG VZ + VG VZ 设备 VG VZ 设备 静电放电现象 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 放电电流 I 1ns 100ns I t 5 10 15 1 2 3 4 电场 kV/m 磁场 A/m 5 10 15 时间 ns 10 cm 20 cm 50 cm ESD对电路工作影响的机理 不良搭接 孔缝 电流找阻抗最小路径 静电放电产生的电磁场 ESD 产生的电磁场 5 10 15 1 2 3 4 电场 kV/m 磁场 A/m 5 10 15 时间 ns 10 cm 20 cm 50 cm ESD常见问题与改进 ESD V ESD ESD V ESD 屏蔽层 单点接地 屏蔽场作用 ESD 常见问题与改进 ESD1 I1 ESD2 I2 二次放电 ESD1 I1 ESD2 铁氧体磁珠 高电位 0V 高电位 共模电流 增加与外壳间的距离 电缆上的ESD防护 电缆/机箱搭接 VN * 环境中存在着一些短暂的高能脉冲干扰，这些干扰对电子设备的危害很大，一般称这种干扰为瞬态干扰。瞬态干扰既可以通过电缆进入设备，也可以以宽带辐射干扰的形式对设备造成影响。例如，汽车点火系统和直流电机电刷对收音机的干扰。产生瞬态干扰的原因主要有： 雷电、静电放电、电力线上的负载通短（特别是感性负载）、核电磁脉冲等。 电子设备必须能够在这些环境中正常工作。 * 瞬态干扰：指时间很短，但幅度较大的电磁干扰。常见的瞬态干扰（设备需要通过试验验证其抗扰度）有三种：电快速脉冲（EFT）、浪涌（SURGE）、静电放电（ESD）。 电快速脉冲：由电路中的感性负载断开时产生。其特点是不是单个脉冲，而是一连串的脉冲，因此，它对电路的影响较大。因为一连串的脉冲可以在电路的输入端产生累计效应，使干扰电平的幅度最终超过电路的噪声门限。从这个机理上看，脉冲串的周期越短，则对电路的影响越大。因为，当脉冲串中的每个脉冲相距很近时，电路的输入电容没有足够的时间放电，就又开始新的充电，容易达到较高的电平。 浪涌：浪涌主要是由雷电在电缆上感应产生的，功率很大的开关也能产生。浪涌的特点是能量很大，室内的浪涌电压幅度可以达到6kV，室外往往会超过10kV。浪涌虽然不象EFT那么普遍，但是一旦发生危害是十分严重的，往往导致电路的损坏。 静电放电：雷电现象实际就是一种静电放电现象，它对设备电缆的影响已经体现在浪涌试验中了。实际环境中的另一类主要现象是人体接触设备时的静电放电。但在一些标准中增加了比人体放电更严酷的装置放电。这些静电放电对设备造成的影响从本质上讲以辐射干扰为主，这在后面详细介绍。 三种瞬态干扰的比较： 1 脉冲上升时间：ESD — 极快，1ns，EFT— 很快，约5ns，浪涌— 慢，?s数量级。 2 能量：ESD — 低，EFT（单个脉冲）— 中等，浪涌— 高 3 电压（负载阻抗高）：ESD — 15kV以上，EFT — 10kV以下，浪涌— 10kV以下 4 电流（负载阻抗低）：ESD — 人体放电为几十A，装置放电可达数百A，EFT—几十A， 浪涌 — 几千A . 说明：NEMP（核电磁脉冲）也会在电缆中感应出浪涌，但它的上升时间很短，在ns级。 * 在电气和机电设备中常见的一种瞬态干扰是由继电器、马达、变压器等电感器件产生的。一般这些器件构成系统的一部分，因此干扰往往在系统内部产生。设计人员对此应给予足够的重视。 瞬态干扰产生的机理：在电感负载的电路中，当开关断开时，根据电感的特性，电感上的电流不能突然消失，为了维持这个电流，电感上会产生一个很高的反电动势，根据楞次定律，这个电压为： E = d? / dt = -L ( di / dt ) ? = 电感中的磁通（T ? m2） L = 电感（H） I = 电感中的电流（A） 这个反电动势向电感的寄生电容C反向充电。随着充电电压的升高，触点上的电压也升高，当达到一定程度时，将触点击穿，形成导电通路，电容C开始放电，电压开始下降，当电压降到维持触点空气导通的电压以下时，通路断开，又重复上面的过程。这种过程一直重复到由于触点之间的距离增加，电容上的电压不能击穿触点为止。 当电容不能通过击穿触点放电时，就通过电感回路放电，直到电感中的能量耗尽为止。 说明1：随着触点的距离越来越远，击穿触点需要