电力电子关键器件设计解析.pptVIP

* 电路输入输出条件 输入交流电压的范围 输出功率 输入的电压最大值 效率η 90~264Vrms 30W 374V 0.8 开关工作频率 输出电压 输入电压的频率 最大占空比 65KHz 19V 50~60Hz 0.45 变压器的作用：隔离，升降压 设计要求：体积小，低损耗 占空比超过0.5，系统稳定性变差；RCD反激效率一般为0.8-0.9 * 电感设计：电感计算 原边电流T的平均值 Ton内的平均电流 设满载时的最小电流 最大电流 原边电流有效值 原边电感值 反激变压器实质是个储能电感 * 原副边匝数 AP法则确定磁芯大小 确定匝比 原副边匝数 原边匝数 副边匝数 * MOSFET datasheet 额定电压：30/45/60/100/150/200/300/400/600/650/800/900/1000/1200V 需满足降额，最高电压为额定电压的0.7~0.9倍. 额定电流：按照最大有效电流值Ief选择，额定电流为(1.5~2)Ief 瞬态电流：MOS管能承受的最大脉冲电流 通态电阻：Rdson越小越好，额定电压越高，Rdson越大；额定电流越大，Rdson越小 温度越高， Rdson越大 开通时间：ton，Mos由截止到导通的过渡时间，越小越好 关断时间：toff，Mos由导通到截止的过渡时间，越小越好 输出电容：Coss，越小越好，与Rdson矛盾 * MOS管 选择600V应力的MOS管 MOS管应力计算公式 输入电压最大值 副边电压折算 假设Vspike=100V * 损耗计算 状态1：T-ON 状态2：T-OFF t0- : T关闭 t0~t1: T从OFF到ON过渡，VDS逐渐下降，IDS由0逐渐上升 t1~t2: T处于导通状态，Mos相当于一个小电阻Rdson t2~t3: T从OFF到ON过渡，VDS逐渐上升，IDS由0逐渐下降 t3~t4: T处于截止状态，DS间只有很小的漏电流，uA级 MOS管电压、电流 * MOS损耗计算 导通损耗Pon 截止损耗Poff 开启过程损耗Poff-on 关断过程损耗Pon_off 驱动损耗Pgs Pds MOS的结温可到175℃，一般设计其工作100℃左右，查100℃的Rdson 零电流关断ZCS，零电压开通ZVS * 散热器 MOS管结温能到175℃， 一般让MOS管工作在100℃ 220-AB,220-fullpackage，TO-247 * 电力电子关键器件 反激变换器工作原理 电感设计 变压器设计 MOS管设计 二极管设计 电容设计 * 二极管 材料： 特性： 用途： 二极管分类 硅管，锗管，碳化硅二极管 肖特基二极管，快恢复二极管 稳压二极管、发光二极管等 二极管ZCS，无反向恢复 开关特性 反向恢复特性 * 二极管关键参数 额定电压：30/45/60/100/150/200/300/400/600/650/800/900/1000/1200V 需满足降额，最高电压为额定电压的0.7~0.9倍. 额定电流：按照最大平均电流值Ief选择，额定电流为(1.5~2)Ief 瞬态电流：二极管能承受的最大脉冲电流 正向压降：Vf越小越好，额定电压越高， Vf越大；额定电流越大， Vf越小 温度越高， Vf越小 反向恢复时间：trr 越小越好 * 二极管耐压 选择100V应力的二极管 副边二极管上承受的最大反向电压为:Uo+nUd * 二极管损耗 Vf-If曲线 模拟Vf-If曲线 估算： 准确计算： 反向恢复损耗自查资料 * 电力电子关键器件 反激变换器工作原理 电感设计 变压器设计 MOS管设计 二极管设计 电容设计 * 电容分类 铝电解电容： 钽电解电容： 瓷片电容： 薄膜电容： 独石电容： 电容分类 容值大，1uF~1F，频率特性差，损耗大，寿命短，用于直流滤波 容值较大，0.1-1000uF，损耗、漏电小于铝电解电容 频率特性好，容值小1pF-1uF，体积小，高频滤波 频率特性好，容值小10pF-10uF，体积小，谐振电容，EMI滤波 频率特性好，电容量稳定,耐高温耐湿性， 1pF-1uF， 云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容、纸质电容器、超级电容 * 电解电容参数 额定电压：16/25/35/50/100/200/350/400/450， 需满足降额，最高电压为额定电压的0.7~0.9倍. 标称容值：依据纹波大小、维持时间选择，10/22/33/47/63/100uF ESR：串联等效电阻，越小越好