集成电路中的晶体管及其寄生效应解析.pptVIP

RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO （2）减小βnpn和βpnp ：加大MOS管源漏区距阱边界的距离，必要时采用伪收集极结构。 VDD GND Vo Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS VDD GND Vo Vi RS Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N-阱 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应 2. 消除闩锁效应措施—版图设计 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应 （1）增加阱的结深 （2）采用外延衬底 （3）采用外延衬底时，同时可采用埋层方法，增加阱的结深，型层减速场。 （4）输入信号不能过高 （5）负载电容不易过大 （6）电源限流 VDD GND Vo Vi RS Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N-阱 2. 消除闩锁效应措施—工艺、测试、应用 * * * * * * 2. 多集电极横向PNP管 图2.17多个PNP管并联以提高Ic （a）复合版图；（b）等效电路 图2.18 多集电极横向PNP管 （a）电路符号；（b）版图 3. 大电流增益 的复合PNP管 在某些应用中,要求PNP管的电流增益很大,此时可用复合PNP管。复合PNP管的组成如图2.17所示。由图可见，复合PNP管的全部偏压的极性与PNP管相同，其 （详见第12章12.1节的介绍）。 图2.19 复合PNP管的电路接法和等效符号 （a）电路接法；（b）等效电路；（c）版图示意图 2.4.2 衬底PNP管 由上面的分析可知,横向PNP管的 都比较小,只能用于小电流的情况。如果用下图 所示的衬底PNP管,则可在较大的电流下工作。 P-Sub N–-epi P+ P+ P E C B N+ 图2.20 1. 衬底PNP管的特点 (1)衬底PNP管的集电区是整个电路的公共衬底,直流接最负电位,交流是接地,所以使用范围很有限,只能用作集电极接最负电位的射极跟随器。 （2）其晶体管作用发生在纵向，所以又称纵向PNP晶体管，因为各结面较平坦，发射区面积可以做得很大，所以工作电流比横向PNP管大；并可用增大发射区面积或多个发射极并联使用的办法来增大临界电流ICr。 (3)因为衬底作为集电区,所以不存在有源寄生效应,故可不用埋层。 (4)基区电阻大,特别是外基区电阻rB2较大。 2.4.2 衬底PNP管 衬底PNP管由于其集电极固定接电路的最负电位，因而限制了它的应用。 2. 不足 2.4.2 衬底PNP管 2.4.3 自由集电极纵向PNP管 图2.21 与对通隔离工艺兼容的自由集电极纵向PNP管的横截面图 2.5 集成二极管（讨论） 2.5.1 一般集成二极管 1. B-C短接 VF=VBEF BV=BVBE Cj = Ce Cp= Cs 无寄生PNP管效应 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ E B C VF=VBCF BV=BVBC Cj = Cc Cp= Cs 有寄生PNP管效应 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ E B C 2. B-E短接 2.5.1 一般集成二极管 VF=VBCF BV=BVBE Cj = Cc+ Ce Cp= Cs 有寄生PNP管效应 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ E B C 3. C-E短接 2.5.1 一般集成二极管 VF=VBEF BV=BVBE Cj = Ce Cp= Cc*Cs /(Cc+ Cs） 有寄生PNP管 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ E B C 4. C开路 2.5.1 一般集成二极管 VF=VBCF BV=BVBC Cj = Cc Cp= Cs 有寄生PNP管 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ N+ E B C 5. E开路 2.5.1 一般集成二极管 VF=VBCF BV=BVBC Cj = Cc Cp= Cs 有寄生PNP管 P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ B C 6. 单独BC结 2.5.1 一般集成二极管 VF=VSCF BV=BVSC Cj = Cs Cp= 0 无寄生PNP管 N–-epi P+ P+ N+ C P-Sub 7.单独SC结 2.5.1 一般集成二极管 (2)单独BC结二极管，因为它不需要发射结，所以面积可以做得很小，正向压降