2第二章摄像管解决方案.pptVIP

氧化铅视像管的结构 四、 光导靶和存储靶： 摄像管的关键器件是靶，视像管和光电发射型摄像管的靶的作用不同，结构也不同。 4.1视像管靶 视像管的靶是光电导靶，靶的厚度约几微米到20微米。视像管靶的主要作用是完成图像的光电转换和信号电荷的积累和存储。 光电导体(靶)的光电变换原理 在光电导层上接有数十伏的直流电压，形成跨层电场。当受光照时，靶的电导率升高，由此使正电荷从电位较高的一边流向较低的一边(如图从左到右)。使靶右边的正电荷增加，即电位上升。电位升高量与光照相对应。这样就把人射在光电导左边的光学图像，转换成了右面的电位图像(电荷图像)。 图1-3-1 （１）硅靶 硅靶具有光谱 响应范围宽、 量子效率高、 抗烧伤能力强 等优点。 当电子束扫描每个P型岛时，PN结反向偏置，结电容被充电到靶电源电压。有光照时光生电子通过信号板入地，光生空穴积累到P型岛。如果光照是均匀的，靶的扫描面电位只是均匀地升高。如果光照不均匀，是一幅光学图象，则扫描面上各P型岛的电势分布，将正比于入射光学图象的亮度分布，亮度高的点，所对应的P型岛的电势也高。当电子束再次扫描各个二极管时，其电位被拉平到阴极电位，产生的光电流流过负载电阻就形成与光学图象对应的视频信号。 图1-4 硅靶结构 视频信号 电阻海 P型岛 SiO2 P P P n R2 N+ 左边是光的入射面，右边是电子束扫描面，靶的基体实N型单晶硅薄片。其上有大量微小的P型岛。由P型小岛与N型基底之间构成密集的光敏二极管阵列。并在P型岛之间的N型硅表面覆盖高绝缘的二氧化硅薄膜，另外在N型基底的外表面上形成一层极薄的N+层，在P型岛地外表面上形成一层半导体层称为电阻海。总厚度约为20微米。工作时，在N+层加5～15伏电压，使硅光电二极管处于反向偏置工作状态。无光照时，反压将一直保持。当有光学图像输入时，N型硅将吸收光子产生电子空穴对，它们在电场的作用下作漂移运动，空穴通过PN结移到P型岛，此动作在一帧的周期内连续进行，从而提高了P型岛的电位。其电位的升高的数值正比于该点的曝光量。因此，靶面的P型岛上形成了积累得电荷图像。这时通过电子束的扫描，即可得到视频信号。 （２）氧化铅靶 图1-5 具有PIN结构。工作时，信号板通过负载和靶电源的正极相 接，电子枪的热阴极接地，当扫描电子束扫描靶面时，相当 对PIN反偏置。靶电源电压45V左右。PbO靶也有光信息的存 储功能，它的轴向电阻较小，横向电阻很大，防止各像素之 间表面漏电而将电位起伏拉平 。 PbO靶的光电转换效率较高， 暗电流小，惰性和烧伤小，所以它是目前使用最广泛的一种 摄像器件。 4.2、存储靶： (１)．二次电子导电摄像靶（SEC Secondary Electron Conduction） ??? SEC管是60年代初出现的一种高灵敏度摄象管，适于微光摄象，它是利用二次电子传导作用进行电子增强的。　 图1-6 SEC靶有3层结构：第一层 是AI2O3膜，起机械支撑 作用，厚50~70nm；第二 层是铝膜，后50nm，起信 号板作用；第三层是疏松的 KCI，其密度只有固体KCI 的1%~2%，厚度15~20um， 它在高速光电子作用下产生 二次电子传导。 当光阴极发出来的光电子被加速打到靶上时，靶将产生二次电子发射，这些二次电子除了极小一部分与正离子复合外，绝大部分在靶电场的作用下流向信号板，而在靶的扫描面留下一个正电势图像。 读出时，扫描电子补充靶上失去的电子，同时把被扫点电势拉回到零。这样，在输出回路既产生视频电流。 由此可见，这种靶的导电不是利用材料导带中的电子或价带中的空穴，而是依靠二次电子导电的，故称二次电子导电靶。 二次电子导电摄像管响应率高，改变光电子加速电压，可以得到80~200倍的电子增益，它的极限分辨率稍低。 (２)．增强硅靶 （SIT Silicon Intensified Target） 图1-7 增强硅靶管的靶叫增强硅靶(SIT)。 SIT靶和硅靶视像管中的靶结构基本相同，只是在电子入射侧加镀一层厚几十纳米的铝膜，以屏蔽杂散光。 从光电阴极发射出来的电子，在高压作用下轰击硅靶，激发出大量电子-空穴对。 经理论计算，每个入射的光电子能量为3.4~3.5ev时,可产生1个电子-空穴对。如果移像区的电压为10kV，则每个入射光电子可产生2800~2900个电子-空穴对，空穴在自建电场作用下进入P区，使该单元的电位提高，并在电子束扫描时输出视频信号。 增强硅靶灵敏度一般比硅靶大两个