硕士学位论文中期(崔虹云)详解.docVIP

哈尔滨工业大学 硕士学位论文中期报告 姓 名 崔虹云 学 号 07SG21901 院 （系） 航天学院 学 科 微电子科学与技术系 导 师 刘晓为 论 文 题 目多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究 中期报告日期 2009年4月1日 检查组长签字 研究生院培养处制  1．论文工作是否按开题报告预定的内容及进度安排进行 是按开题报告预定的内容及进度安排进行的。 2．目前已完成的研究工作及结果 2.1欧姆接触的设计测试分析 2.1.1欧姆接触的能带分析取决于金属的功函数Wm和半导体的电子亲和能之差。如图1所示 图1 理想p型半导体-金属欧姆接触能带图 由肖特基-莫特定律 (1) 可以得出对于理想的p型半导体，形成良好的欧姆接触需要高功函数的金属与之匹配，并且可以控制势垒高度。但是，实际上，半导体材料表面一般都具有很高的表面态，特别是多晶材料。当半导体与金属接触时，这些表面态（界面态）就在界面禁带中引入了表面能级。高的表面态密度可以钉扎费米能级，使势垒高度不受金属功函数控制。因此，制备高表面态密度半导体的欧姆接触，必须克服表面态的费米钉扎问题，尽量减少表面态密度。 2.1.2多层金属设计 欧姆接触的形成是一个复杂的过程, 涉及到各种各样的固态反应势垒层覆盖层扩散阻挡层帽层 下面给出一些金属材料的特性： 钛（Ti）—— 金属Ti具难熔性，更高的化学活性，功函数低的优点。可以和Si形成良好的化合键，在三明治接触结构中通常被用作阻挡层金属。Ti与Si在退火作用下，可以生成TiSi2化合物。TiSi2具有较低的电阻率和较高的热稳定性，已经得到了广泛关注。Ti金属与其他金属的合金也常被用来制备欧姆接触。其中，TiAl3合金可以降低势垒高度。TiW合金具有较高的热稳定性以及高温下不会发生相变的优点，合适用于欧姆接触。 铝（Al）—— 金属Al及其合金已经被广泛应用于半导体材料的欧姆接触中。其电阻率低、淀积工艺简单、制造成本低，与Si及其氧化物的黏附性很好，并且可以与Si表面的天然氧化薄层反应，因此可以形成良好的欧姆接触。然而，Al-Si体系的热力学特性，使Al作为单一合金化金属存在许多问题。研究表明，后期合金化退火处理会导致Si固相分散到接触层上的Al层中，使Al中的Si固溶度饱和，并在热处理后的冷却过程中发生Si的界面再结晶，产生深熔失效（spiking failure）现象。这一现象会增大Al/Si界面的势垒高度和接触电阻。因此，Al一般要与其他难溶金属相结合，应用到欧姆接触体系中。 镍（Ni）—— 金属Ni 具有较高的功函数（约5.15eV），常被用作Si材料的接触金属。在高温退火后，Ni可以与Si发生反应，生成NiSi、NiSi2等富Si硅化物。这些硅化物对欧姆接触的形成具有重要作用。因此，一些研究中，将Si薄膜预淀积到非硅半导体材料表面，再淀积Ni层，经高温退火生成Ni的硅化物，实现欧姆接触。Ni在有氧气存在气氛中高温退火时，会被氧化，从而使接触电阻增大，所以Ni很少单独作为接触金属使用。 金（Au）——金属Au凭借其低电阻率、高化学稳定性等优点，常被用来降低金属层方块电阻，防止接触表面氧化。但是，由于Au在半导体材料中的扩散作用很强，会在半导体的禁带中引入深陷阱能级，从而严重影响半导体器件的性能，因此，一般都要在半导体和Au之间添加一层阻挡层金属来抑制Au向半导体衬底的扩散。并且，Au基本不单独用作接触金属材料。 铂（Pt）——金属Pt是功函数最高的金属之一（功函数约为5.65eV）。其具有电阻率低、化学及热稳定性高等优点。Pt在p型和n型Si中都可以得到低电阻欧姆接触（1×10-7Ω cm2）。00℃。μΩ和14.5μΩ。CoSi2更少与掺入杂质和SiO2发生反应，并且可以抵抗大多数的等离子体加工工艺。CoSi2的薄膜应力水平也较低，因此具有较好的应用前景。 图 常用接触金属的功函数, 即在通过一恒定电流的情况下, 通过测量各接触点之间电压求出各自的电阻, 然后按照相应模型, 通过合理的近似和假设, 从电阻中扣除各种寄生电阻, 最