第4章场效应管及其放大电路资料摘要.pptVIP

微变参数 3. 漏极电阻rds 反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率。 4.导通电阻Ron 在恒阻区内 微变参数 5. 极间电容 Cgs—栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容 Cgb —栅极与衬底间电容Csd —源极与漏极间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容 主要的极间电容有： 1.场效应管的微变等效电路（交流模型） S D gds Ugs + - + - Uds G ID ? 低频微变等效电路 由输出特性： ID=f(UGS,UDS) ID gmUgs 微变等效电路 ? 高频微变等效电路 Cgd S D gmUgs gds Ugs + - + - Uds G ID Cgs Cds 2.三种基本放大电路 结型共源放大器电路 电压增益为: 1.未接CS时:等效电路如图: （一） 共源组态基本放大器 其中，RD’=RD//RL 放大器的输入电阻为: 放大器的输出电阻为: ri’=RG+(R1// R2)? RG ro’ ? RD 2 . 接入CS时: + D Ugs - gm Ugs rds - Uo + G Ui RD RL R1 RG R2 S ri ro AU ?- gm RD’ ri’=RG+(R1// R2)? RG ro’ =RD // rds ? RD G S D ri Ui (二) 共漏放大电路（也称源极跟随器) RG G Uo RL RS gmUgs rds S D = gmUgsRS Ugs + gmUgsRs = gmRS 1 + gmRs RS=rds//RS//RL ≈ RS//RL 1 gmRS1 AU≈1 ri=RG Ugs + - 电压增益 输入电阻 低频等效电路 输入电阻大 (2) 共漏放大电路（续） 输出电阻 Ugs + - gmUgs RS + - Uo Io ro Ui G Uo S RG RL RS gmUgs rds D Ugs + - - gmUgs Ugs= -Uo =Uo(1/Rs+gm) 输出电阻小，且与源极电阻和管子跨导有关。 (三)共栅放大电路 S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id Id=gmUgs+Uds/rds Uds=Uo-Ui Uo= -IdRD Ugs= -Ui Id= -gmUi+(- IdRD -Ui)/rds ri ri 当rdsRD时， 共栅放大电路（续） S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id ri ri AU≈ gmRD rdsR’D，gmrds1 输入电阻 ≈1/gm， ri≈Rs//1/gm 共栅放大电路（续） 电压增益 AU≈ gmRD 输入电阻 ri≈1/gm ri≈Rs//1/gm S G D rds gmUgs 输出电阻 ro ro=rds ro=rds//RD≈ RD 电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相。 (四)三种接法基本放大电路的比较 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 电压增益 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输入电阻 Ri ) + /1 //( CB: CC: CE: ie e hfe h R CS：RG CD：RG CG：Rs//(1/gm) 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输出电阻Ro CS：rds // RD CD：Rs//(1/gm) CG：RD 表3-3 FET 三种组态性能比较 以上表格中参数是在下列条件 下求得的： gm = 1.5mA; rds = 100k? RD = Rs = 10k?;RG= 5M? 输出特性曲线 比较：N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS?0或UGS0。 N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0。 UGS=6V UGS=4V UGS=1V UGS=0V UGS=--1V UGS(V) ID(mA) 可变 电阻 区 耗尽型MOS管 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结（续） ? 结型场效应管（JFET)结构 ? 结型场效应管（JFET)分类 可分为N沟道和P沟道两种，输入电阻约为107?。 P+ P+ N G S D N沟道结型场效应管 导电沟道 3.结型场效应管 结型场效应管 ? 结型场效应管（JFET)的工作