第讲有源器件的选型精要.ppt

 一）、双列直插封装-DIP?(Dual?In-line?Package)? [特点]常见封装方法，可以插入插座中(易于测试)，也可永久焊接到印刷电路板的小孔上。70年代流行，有多层或单层陶瓷材料。芯片面积与封装面积的比值较小。[图示] ?[其他]SDIP?(Shrink?DIP)?紧缩式双列直插封装，比常规DIP针脚密度高PDIP?(Plastics?DIP)?塑料双列直插封装,两管脚间距比常规小，俗称廋型DIP 二).芯片载体封装 为适应SMT高密度的需要，集成电路的引线由两侧发展到四 侧，这种在封装主体四侧都有引线的形式称为芯片载体,通常 有塑料及陶瓷封装两大类。 (1)塑料有引线封装（Plastic Leaded Chip Carrier）(简称:PLCC) 引线形状：J型 引线间距：1.27mm 引线数：18 - 84条? (2)陶瓷无引线封装（Leadless Ceramic Chip Carrier）(简称:LCCC) 它的特点是： 无引线 引出端是陶瓷外壳 四侧的镀金凹槽 (常被称作：城堡式)， 凹槽的中心距有1.0mm、 1.27mm两种。? 3.方型扁平封装（Quad Flat Package） 它是专为小引线距（又称细间距）表面安装集成电路而研制 的。 引线形状： 带有翼型引线的称为QFP； 带有J型引线的称为QFJ。 引线间距： 0.65mm、0.5mm、 0.4mm、0.3mm、 0.25mm。 引线数范围： 80—500条。? 三). BGA封装 90年代随着集成技术的进步和深亚微米技术的使用,LSI,VLSI,ULSI相继出现,芯片集成度不断提高,对封装要求更加严格,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大.为满足发展的需要,在原有封装品种基础上,又增添了新的品种--球栅阵列封装简称BGA(Ball Grid Array Package).成为CPU南北桥等VLSI芯片的高密度,高性能,多功能及高I/O引脚封装的最佳选择.芯片面积/封装面积的比为1:4 四). 面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进更比PGA好但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低 . 1994年9月诞生了一种新的封装形式命名为芯片尺寸封装,简称CSP(Chip Size Package或ChipScale Package),芯片面积/封装面积=1:1.1.也就是说,单个芯片有多大,封装尺寸就有多大。 4.球栅阵列封装 (Ball Grid Array)(简称:BGA) 集成电路的引线从封装主体的四侧又扩展到整个平面，有效地解决了QFP的引线间距缩小到极限的问题，被称为新型的封装技术。? 5.裸芯片组装 随着组装密度和IC的集成度的不断提高，为适应这种趋势，IC的裸芯片组装形式应运而生，并得到广泛应用。 它是将大规模集成电路的芯片直接焊接在电路基板上，焊接方法有下列几种。 板载芯片(简称:COB) COB是将裸芯片直接粘在电路基板上，用引线键合达到芯片与SMB的连接，然后用灌封材料包封，这种形式主要用在消费类电子产品中。? 当前,电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。 在小型化方面，规格尺寸从 3216→2125→1608→1005发展，目前最新出现的是0603(长0.6mm，宽0.3mm)，体积缩小为原来的0.88%.。 集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上 . 微组装技术是90年代以来在半导体集成电路技术、混合集成电路技术和表面组装技术(SMT)的基础上 ,形成的高密度、高速度、高可靠的三维立体机构的高级微电子组件技术。多芯片组件(MCM)就是当前微组装技术的代表产品。它将多个集成电路芯片和其他片式元器件组装在一块高密度多层互连基板上，然后封装在外壳内，是电路组件功能实现系统级的基础。 多芯片模块-MCM?(Multi?Chip?Model)[特点] 解决集成度低和功能不完善等问题，将多个高性能模块集成到一起。 封装延迟小，易于高速化，缩小模块整体面积，系统可靠性增加。 MCM基本概念