硅光电池特性测试实验解析.docVIP

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  • 2016-04-29 发布于湖北
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硅光电池特性实验 1 实验目的 通过测试太阳能电池的短路电流、开路电压,绘制I-V特性曲线并计算填充因子,理解太阳能电池的工作原理及基本特性。 2实验原理 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深入学习硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池的机理。 2.硅光电池的工作原理 光电转换器件主要是利用物质的光电效应,即当物质在一定频率的照射下,释放出光电子的现象。当光照射金、金属氧化物或半导体材料的表面时,会被这些材料内的电子所吸收,如果光子的能量足够大,吸收光子后的电子可挣脱原子的束缚而溢出材料表面,这种电子称为光电子,这种现象称为光电子发射,又称为外光电效应。有些物质受到光照射时,其内部原子释放电子,但电子仍留在物体内部,使物体的导电性增强,这种现象称为内光电效应。光电二极管是典型的光电效应探测器。当PN结及其附近被光照射时,就会产生载流子(即电子-空穴对)。结区内的电子-空穴对在势垒区电场的作用下,电子被拉向N区,空穴被拉向P区而形成光电流。同时势垒区一侧一个扩展长度内的光生载流子先向势垒区扩散,然后在势垒区电场的作用下也参与导电。当入射光强度变化时,光生载流子的浓度及通过外回路的光电流也随之发生相应的变化。在入射光强度的很大动态范围内这种变化能保持较好的线性关系

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