2013集成电路与设计试卷A答案要点.docVIP

2013 集成电路分析与设计 试卷A 答案 一．填空题（每空分，共分）NMOS管的沟道调制效应？写出NMOS管的具有沟道调制效应漏极电流的计算公式。 答：在MOS管工作于饱和状态时，MOS管的导电沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏间的电压差的增加而向源极移动，既有效沟道、长度实际上是Vds的函数。这一效应称为“沟道调制效应”。（2分） 该效应下，漏极电流的计算公式： （2分） 2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？ 答：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当VB变得更负时，VTH增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。（4分） 3、什么是等效跨导Gm？ 答：对于某种具体的电路结构，定义为电路的等效跨导，来表示输 入电压转换成输出电流的能力。（4分） 4、如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为密勒定理。（4分） 5、什么是亚阈值导电效应？ 答：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGSVTH时，ID也并非是无限小，而是与VGS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。（4分） 三．（共分） M1沟道调制效应，分析并推导M1的三个工作区域，以及画出该电路的输入输出特性曲线。（10分） 答： ( （1 分） 当时，M1截止；当时，M1导通 （1分） （1分） 截止区：，ID= 0，Vout = VDD （1分） 饱和区：，且 （2分） 三极管区：，且 （2分） 根据三个区域的输出电压，画出该电路的输入输出特性曲线，其中：Vin从0到VTH为截止区；Vin从VTH到Vin1为饱和区；Vin从Vin1开始，进入线性区，（V为M1工作在线性区和饱和区的交界点）（2分） 2、画出NMOS带有负反馈电阻RS的共源放大器考虑沟道调制效应、衬底效应的低频小信号等效电路(不包括NMOS负载电阻RD)。（10分） 四．分析计算题（共分）M2和M3的尺寸相同，假设在忽略沟道调制效应和衬底效应条件下，流过M2和M3的电流相同，如果MOS管的λn=0.1，λp=0.2, Kn=50μA/V2，求该电路的跨导、输出电阻和小信号增益。（20分） 解：（4分） 其中： （4分） （4分） （4分） （4分） 2、在下图所示的采用二极管连接负载的差动对电路中，，，λn=0.1，λp=0.2，差动对的参数为：(W/L)1,2=50/0.5，(W/L)3,4=10/0.5，ISS=0.5mA，ISS由NMOS来提供，(W/L)SS=50/0.5。求： a）求电路的小信号差动增益（10分） b）若M3管和M4管的沟道宽度失配，分别为W3=10(m和W4=11(m，那么电路的共模抑制比(CMRR)为多少？（10分） 解：a）对称情况下， （4分） （2分） （2分） （2分） b）M3与M4的宽长比失配等效为差分对负载电阻阻值失配 （1分） （2分） （2分） （1分） （3分） （1分）