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2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考
电子类技能考试样库
第一章.晶体二极管及二极管整流电路
第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数；
A:判断题：
1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。（）
2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（）
3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。（）
4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位（）。
5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （） 6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。（）
7 .二极管和三极管都是非线性器件。（ ）
8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）
9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （）
B：选择题
1.P型半导体的多数载流子是（ ）。
A. 电子 B. 空穴 C. 电荷 D. 电流
2.晶体硅或锗中，参与导电的是（ ）。
A.离子 B.自由电子 C.空穴 D.B和C
3.下列说法正确的是（ ）。
A.N型半导体带负电 B.P型半导体带正电
C.PN结型半导体为电中性体 D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生
4.N型半导体的多数载流子是（ ）。
A.电流 B.自由电子 C.电荷 D.空穴
5.关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ ）。
A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子．空穴．离子参与导电
6.稳压二极管是利用PN结的（ ）来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性 B.正向导通性 C.反向截止性 D.单向导电性
7.锗二极管导通时，它两端电压约为（ ）。
A.1V B.0.7V C.0.3V D.0.5V
8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（ ）。
A.自由电了是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP 型 晶体管中，基区是N型半导体
9.半导体的导电能力随温度升高而（ ），金属导体的电阻随温度升高而（ ）。 A.降低/降低 B.降低/升高 C.升高/降低 D.升高/升高
10. PN结呈现正向导通的条件是( )。
A. P区电位低于N区电位 B. N区电位低于P区电位
C. P区电位等于N区电位 D. 都不对
11.在半导体PN结两端加（ ）就可使其导通。
A.正向电子流 B.正向电压 C.反向电压 D.反向电子流
12二极管的反向电流随着温度降低而( )。
A.升高 B. 减小 C.不变 D.不确定
13.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是( )：
A.具有单向导电性 B.具有放大性 C.具有改变电压特性 Ｄ.以上都不对
14. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
A.三价； B.四价； C.五价； D.六价。
15.本征半导体是（ ）。
A.掺杂半导体
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