图像传感器集成微透镜阵列设计解析.doc

1绪论 1.1、CCD 的发展现状 自从 1970 年美国贝尔实验室研制成功第一只电荷耦合器件(CCD)以来，依靠业已成熟的 MOS 集成电路工艺，CCD 技术得以迅速发展【2】。CCD 图像传感器作为一种新型光电转换器现已被广泛应用于摄像、图像采集、扫描仪以及工业测量等领域。作为摄像器件，与摄像管相比，CCD 图像传感器有体积小、重量轻、分辨率高、灵敏度高、动态范围宽、光敏元的几何精度高、光谱响应范围宽、工作电压低、功耗小、寿命长、抗震性和抗冲击性好、不受电磁场干扰和可靠性高等一系列优点【5】。其应用领域也极其广泛，涉及到航天、航空、遥感、卫星侦察、天文观测、通讯等众多领域。 CCD 图像传感器经过近 30 年的发展，目前已经成熟并实现了商品化。CCD 图像 传感器从最初简单的 8 像元移位寄存器发展至今，已具有数百万至上千万像元【12】。由于CCD 图像传感器具有很大的潜在市场和广阔的应用前景，因此，近年来国际上在这方面的研究工作进行得相当活跃，美国、日本、英国、荷兰、德国、加拿大、俄罗斯、南韩等国家均投入了大量的人力、物力和财力，并在 CCD 图像传感器的研究和应用方面取得了令人瞩目的成果【1】。美国和日本的器件和整机系统已进入了商品化阶段。 CCD 的发展趋势是高分辨率、高速度和微型化。从 1993 年德州仪器公司报道 1024×1024 像元