磁敏传感器-磁敏半导体传感器精要.pptVIP

思考题： 霍尔传感器、磁敏电阻、磁敏半导体传感器的工作原理分别是什么？他们的主要用途是什么？ 本章小结 霍尔传感器 工作原理：霍尔效应 转换公式： 磁场范围： 主要用途：磁场测量，电流、电压、位置、速度等传感，以及功率、开放、平方等 运算等 磁敏电阻 工作原理：磁阻效应 磁场范围： 主要用途：无触点开关、压力开关、位移传感器、安培计、交流放大器和振荡器等 2. 磁敏三极管 工作原理：集电极电流或者漏极电流的磁场调制 磁场范围： 应用：磁场检测、位移测量、转速测量和无损探伤等 磁敏半导体传感器 1. 磁敏二极管 工作原理：复合电流的磁场调制 磁场范围： 应用与产品：磁场检测，位置、速度、电流和电压测量等。产品有无触点开关、无 接触电位计、漏磁探伤仪等 传感器与检测技术 天津工业大学电气工程与自动化学院 主讲 王红一 内容回顾 磁敏传感器：霍尔传感器 1．霍尔效应（Hall effect） 霍尔效应是一种磁电效应，将一载流导体放在磁场中，若磁场方向与电流方向正交，则在与磁场和电流两者垂直的方向将会产生横向电动势，这一现象被称作霍尔效应，响应的电动势被称作霍尔电动势（Hall electromotive force）。 洛伦兹力： 霍尔电动势： 内容回顾 磁敏传感器：霍尔传感器 2、霍尔元件及其材料 霍尔元件为什么采用N型半导体？ 金属导体的载流子迁移率很大，但其电阻率低（自由电子浓度n大），绝缘材料电阻率很高，但其载流子迁移率低，所以金属导体和绝缘体均不宜作霍尔元件，只有半导体材料最合适。 N型半导体材料的载流子迁移率比P型的大，所以霍尔元件多采用N型半导体材料制成。 3、温度误差与补偿： 为什么要进行温度补偿？温度补偿方法举例 温度误差产生的原因：当温度变化时，由于霍尔元件的半导体材料电阻率 、载流子的迁移率和浓度均随温度而变化，从而导致霍尔元件内阻Ri和输出电动势uH变化。 第六章 磁敏传感器 6.1 磁敏传感器 6.2 磁敏电阻传感器 6.3 磁敏半导体传感器 第六章 磁敏传感器 6.2 磁敏电阻传感器 6.2.1 磁阻效应、磁敏电阻及其基本特性 磁阻效应 置于磁场中的载流导体电阻随着磁场的变化而发生变化的现象，称此现象为磁阻效应（magnetoresistive effect）。 它可以分为物理磁阻效应和几何磁阻效应，前者是在磁场中因载流子运动方向变化而导致电流密度减小，电阻率增大的现象；后者是由于半导体片几何形状的不同而出现电阻值不同变化的现象。 6.2 磁敏电阻传感器 6.2.1 磁阻效应、磁敏电阻及其基本特性 2. 磁敏电阻 利用磁阻效应制成的元件称为磁敏电阻（magneto resistor）。利用磁敏电阻可制成磁场探测仪、线位移和角位移检测器、安培计和磁敏交流放大器等。 通常选用锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等高迁移率的材料来制作磁敏电阻。常用的磁阻元件有半导体磁阻元件和强磁性金属薄膜磁阻元件。 6.2 磁敏电阻传感器 6.2.1 磁阻效应、磁敏电阻及其基本特性 3. 磁敏电阻的基本特性 （1）电阻率 在弱磁场情况下，当温度恒定时，理论推导的电阻率为 —— μ为电子迁移率，锑化铟和磷化铟的载流子迁移率都很高，适合做磁敏电阻，电子迁移率越高的材料，其磁阻效应越明显； ——ρ0为无磁场条件下的电阻率； —— B为磁感强度。上式表明弱磁场时，磁阻与B 2 成正比。研究和实验表明，在强磁场时，磁阻与B成正比。 6.2 磁敏电阻传感器 6.2.1 磁阻效应、磁敏电阻及其基本特性 3. 磁敏电阻的基本特性 （2）电阻率的相对变化 假如电阻率的变化为 ，则可获得电阻率的相对变化为： —— K=0.273 6.2 磁敏电阻传感器 6.2.1 磁阻效应、磁敏电阻及其基本特性 3. 磁敏电阻的基本特性 （2）电阻率的相对变化 电阻率的相对变化反映磁阻的变化程度。磁阻的大小除了与材料有关外，还与磁阻几何形状有关（几何磁阻效应）。常见的磁敏电阻是圆盘形的，该形状的磁阻最大，这种圆盘磁阻称作科尔比诺圆盘（Corbin disc）。考虑磁阻的形状影响，电阻率的相对变化为： ——f（l/b）为形状效应系数，而 l 和 b