集成电路工程基础精要.ppt

2012-02 集成电路设计 第二章 集成电路工艺基础(续) 2.3 集成电路中的元件 集成电路是将多个器件及器件间的连线制作在同一个基片上，其器件结构与分立元件不同，存在寄生效应，即产生了寄生的有源器件和无源元件。这种寄生效应对电路的性能会产生一定的影响。通过对集成电路中常用元件的结构及其寄生效应的分析，考虑在IC设计中如何减小、消除、利用寄生效应。 一） 集成电路中的NPN晶体管 2.集成NPN晶体管的有源寄生效应 (1)NPN晶体管正向有源时 NPN管处于正向放大区或截止区 VBC0(VBE0),VSC0(VBC0) 衬底始终接最低电位，寄生PNP晶体管截止，等效为寄生电容 (2)NPN晶体管饱和或反向有源时 VBC0(VBE0),VSC0 (VBC0) 寄生PNP晶体管正向有源导通。有电流流向衬底，影响NPN晶体管的正常工作。 （3）减小有源寄生效应的措施 增加n+埋层 ①加大了寄生PNP晶体管的基区宽度 ②形成了寄生PNP晶体管基区减速场 3.集成NPN晶体管的无源寄生效应 集成双极晶体管存在寄生的电极串联和寄生的PN结电容等无源寄生效应。 (1)集成NPN晶体管中的寄生电阻 ①发射极串联电阻rES 发射极串联电阻由发射极金属和硅的接触电阻rE,c与发射区的体电阻rE,b两部分组成： rES=rE,c+rE,b ②集电极串联电阻rCS 由于集成晶体管的集