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IGBT 的驱动 陈暹辉 深圳裕能达电气有限公司 摘要：根据目前市场的使用情况，介绍IGBT的驱动特性及不同功率计算。 关键词：开通损耗 关断损耗 栅极电阻 导通压降 短路时间 1 IGBT 的驱动 1.1 驱动特性的主要影响因素 IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和ddt 引起的误触发等问题。 电压 Uge 增加Uge过高而损坏IGBT），通态电压下降Eon 也下降，如图所示。由图中可看出，若Uge 固定不变时，导通电压将随极电流增大而增高?a，将随结温升高而b所示。 （a）Uge与Uce和Ic的关系 （b）Uge与Ic和Tvj的关系 图1 栅极电压Uge与Uce和Tvj的关系 栅极电压 Uge 直接影响 IGBT 的可靠运行，电压增高时Uge与a和b所示。 极电阻Rg?增加，将使IGBT的开通与关断时间增加使开通与关断能耗均增加而门极电阻减少，则又使di/dt增大，可能引发IGBT误导通，Rg减少时，可 (a)开通时 (b)关断时 图2 开关时Uge 与 以使得IGBT关断时由du/dt所带来误触发的可能性减小，同时也可以提高IGBT承受短路能量的能力,所以Rg大小各有好坏，客户可根据自己设计特点选择。图3为Rg大小对开关特性的影响，损耗关系图。 Rg大小对开关特性的影响（di/dt 大小不同） 图4 门极电阻Rg与Eon/Eoff 由上述得：IGBT 的特性随门驱动条件的变化而变化就象双极型晶体管的开关特性和安全工作区随基极驱动而变化一样。但是IGBT 所有特性同时最佳化 双极型晶体管的开关特性随基极驱动条件而变化然而，对于?IGBT来说，正如图图所示，门极驱动条件仅对其关特性有影响因此，我们应将更多的注意力放在IGBT的开通、短路负载容量上。 驱动电路 l）?IGBT与?MOSFET都是电压驱动，都具有一个阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感故驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与 IGBT的连线要尽量短。 2）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿，使 IGBT 的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT饱和。 ）驱动电Uge的选择可参考图1，注意其大小的影响，若Uge选大了，则?IGBT通态压降和开通损耗均下降，但负载短路时的Ic增大， IGBT 能承受短路电流的时间减小，对其安全不利，因此在有短路过程的设备中Uge应选得小些。 ）驱动 5）在关断过程中，为尽快抽取）的存储电荷，须施加一负偏压 Uge,?? 但它受IGBT 的间最大反向耐压限制，一般取10 V为宜。 ?6）在大电感负载下，IGBT 的开关时间不能太短，以限制出 di/dt形成的尖峰电压，确保IGBT的安全。 ?7）最好自身带有对 IGBT 的保护功能，有较强的抗干扰能力。 2 IGBT的功率损耗计算（硬开关情况） 2.1 动态损耗 1）IGBT开关损耗： PIGBT=fsw·(Eon+Eoff)·Is/Inom 其中，fsw = IGBT 开关频率，Eon=开通能量（参数表提供），Eoff=关断能量（参数表提供），Is=实际工作电流 Inom=标称电流。 2）续流二极管开关损耗： Pdiode= fsw·Erec·IF/Inom 其中，fw=IGBT 开关频率，Erec=续流能量（参数表提供），IF =实际工作电流 Inom=标称电流。 2.2 导通损耗 1）IGBT 导通损耗： PIGBT=Vcesat·Is·D 其中，Vcesat=饱和压降（参数表提供），Is=集电极电流 D=平均占空比。 2）续流二极管导通损耗：Pdiode=VF·IF·(1-D) 其中，VF=导通压降（参数表提供），IF=实际工作电流，D=平均占空比。 3 总结 目前IGBT的从晶片的制造技术来讲已经发展到第4代，不同代IGBT的驱动特性是有区别的，当然其驱动原理没有变化，其功率损耗也可照套正文所给出的公式计算。 参考文献 1 Infineon IGBT Technology 2 Infineon IGBT Datasheets 高压变频器的IGBT模块选择及计算分析 2008-10-28 10:50:00 来源：中国自动化网 网友评论 0条 点击查看 摘 要：本文阐述了目前变频器应用中常用的几种模块，如IGCT、IEGT、GTO、IGBT。通过计算分析比较，得出IGBT是目前性价比较好的器件。 1、概述 　　由于我国元器件工业落后，还不能生产高压IGBT，西方国家仍对中国实行技术封锁。比如6