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* 医用电子技术 物理教研室 * 第一章 半导体器件 第一节 半导体二极管 半导体基础知识 ＰＮ结 二极管的特性及参数 特殊二极管 半导体二极管特性珠测试与应用 一、半导体基础知识 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。 半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成为自由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此, 半导体的导电特性介于二者之间。 1. 本征半导体 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅和锗。两相邻原子共用一对价电子, 组成共价键结构。 硅和锗原子结构模型 本征半导体共价键晶体结构示意图 每个原子和周围的４个原子用共价键的形式紧密地联系。 共价键中的价电子获得足够能量, 少数能摆脱共价键的束缚而成为自由电子, 同时在共价键中留下空位, 称为空穴。空穴带正电。 图 1 – 3 本征半导体中的自由电子和空穴 由此可见, 半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体中, 自由电子与空穴是同时成对产生的, 因此, 它们的浓度是相等的。 本征半导体中, 自由电子与空穴数目很少，其导电能力很弱。 2. 杂质半导体 图1-4 N型半导体共价键结构 在本征半导体中, 掺入５价元素（磷、锑、砷等）, 原来晶格中某些硅(锗)原子被杂质原子代替。组成共价键时, 多余的 1 个价电子成为自由电子。 Ｎ型半导体 　　电子是多数载流子，主要由掺杂形成；空穴是少数载流子，由热激发形成。 P型半导体 图1–5 P型半导体的共价键结构 在本征半导体中, 掺入微量３价元素, 如硼、镓、铟等，则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。 　　空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。 PN结的形成 将在N型半导体和P型半导体对接，结合面上将发生: 内电场作用： 二、ＰＮ结 因浓度差 多子扩散 空间电荷区 2.促使少子漂移 1.阻止多子扩散 多子扩散 P型半导体 Ｎ型半导体 多子继续扩散 少子开始漂移 少子漂移 P型半导体 Ｎ型半导体 多子继续扩散 少子继续漂移 当：扩散运动=漂移运动 PN结形成 动态平衡 空间电荷区（耗尽层） 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 P型半导体 Ｎ型半导体 PN结的单向导电性 1) PN结正向偏置 P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置。 E外削弱E內 耗尽层变窄 扩散漂移 多子扩散形成正向电流 2) PN结反向偏置 即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏)。 E外加强E內 耗尽层变宽 扩散漂移 少子漂移形成反向电流 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 结论： 三、二极管的特性及主要参数 1.半导体二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图1－10所示。 PN结面积小，结电 容小，用于高频电路。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 PN结面积大，用于工频大 电流整流电路。 2.二极管的伏安特性 虚线为锗管的伏安特性实线为硅管的伏安特性 电压为横坐标电流为纵坐标 二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性—单向导电性。 常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。 1） 正向特性 OA(OA′)段：当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为 零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V 。 AB(A′B′)段：当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管正向导通压降约为0.6-0.7V,锗管约为0.2-0.3V。 二极管正向导通时,要特别注意正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2)反向特性 OC（OC′）段：加反向电压时,在开始很大范围内, 相当于非常大的电阻,反向电流很小,不随反向电压而变化。此时的电流称反向饱和电流IR。 3)反向击穿特性 CD(C′D′)段： 反向电压增大到一定数值时,反向电流急剧增大,此现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压UBR。 雪崩击穿：当反向电压足够高时（U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电子受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使