能带结构理论研究参考摘要.docVIP

先只是参考一下他研究的哪些参数，研究方法另订。 以高斯脉冲光信号作为输入光源，分别分析光子晶体整体介质柱的折射率变化、点缺陷介质柱的折射率变化和点缺陷介质柱的半径变化等三方面因素对滤波器输出特性的影响。 可以发现，选择不同的光子晶体整体介质柱折射率、点缺陷半径和点缺陷折射率，可以实现滤波特性的可调谐，这为今后在集成光子晶体器件中设计多通道光滤波器提供了重要的 理论依据。 光子晶体的空间分布、介质材料的介电常数、光子晶体的周期结构以及光子晶体缺陷的设置是影响光子晶体滤波器性能的主要因素。 光子晶体禁带的分布会受到晶体结构、两种介质的介电常数(或折射率)的差、填充比等结构因素的影响。 填充率是指圆柱形介质面积占每个晶格面积的百分比，填充率的变化是由圆形介质柱半径的变化决定的。 本文首先通过建立二维光子晶体带隙结构模型，并运用目前使用广泛的平面波展开法(PWE)分析光子晶体的通带和禁带，从而确定光子晶体中光波所能应用的频率范围，并通过此方法研究光子晶体的结构对光子晶体禁带的影响。并对二维光子晶体进行模拟仿真，并计算在各种缺陷情况下波的传播情况和一些特性值，通过这些仿真分析可以清晰地看到光子在二维光子晶体当中的传播情况。 计算研究结论（待看。。。。。） 本文首先通过平面波展开法，研究了二维光子晶体带隙情况，并分析了各种影响带隙生成的因素，包括二维光子晶体的结构，背景材料的介电常数以及介质柱的填充率，这些因素对带隙的数量，宽度以及中心频率都有影响。计算分析结果得出，三角形结构二维光子晶体比正方形结构二维光子晶体更容易产生光子带隙，且具有完全光子带隙；在以空气背景为材料，且正方形结构光子晶体介质柱半径大于 0.3 倍晶格常数时，更容易产生 TE 模带隙，TM 带隙很小甚至没有，而在以介质材料为背景空气柱为介质，且空气柱半径小于 0.3 倍晶格常数时，正方形结构更容易产生 TM模带隙，此时 TE 模带隙很小甚至没有；研究表明，带隙的宽度随着背景介电常数的增加而增加，带隙的中心频率随着背景介电场的增加而逐渐降低；而随着填充率的增加，光子晶体带隙宽度有先增加后减小的趋势，而中心频率则逐渐降低。研究发现的这些规律，对制备光子晶体器件具有重要的指导意义，也能帮我们更好的理解光子晶体特性。 如何实现特定波长的滤波，并通过参数调整实现了滤波性能的优化。 通过引入点缺陷、线缺陷或是环形腔等方式，可实现光子晶体滤波器结构的设计[7]。 引入点缺陷可使光子晶体禁带中的某个特定频率的光信号得以传播，而线缺陷可以实现光子局域，在其能带范围内的光波均可得到较好的传输，且可以做到能量损耗很少，而引入环形腔可形成多个窄带分布［８］，与之相对应的波长可以得到很好的传输，因此可将其作为滤波器结构设计的基础。 将线缺陷作为主波导，将环形腔和点缺陷相结合作为负载波导来实现对特定波长的滤波。如下图： 如上图 该２１×２１光子晶体结构以空气为背景，其晶格常数ａ＝０．５５μｍ，介质柱折射率ｎ＝３．５０，介质柱半径ｒ＝０．１８５ａ。信号光从Ａ端口输入，滤波信号从Ｂ端口输出，ＡＭ 构成滤波器结构的主波导，Ｍ 为主波导输出端。以高斯连续波为入射信号光，从Ａ端口进入主波导，由于环形腔的耦合作用，特定频带的光信号被选择而实现滤波，并从Ｂ端口输出，其余光信号则从Ｍ 端口输出。由于环形腔的多模特性，Ｂ端口的输出为多个窄带信号，其输出光谱如图２（ａ）所示，而要实现具有单纵模特性的滤波器结构，光子晶体谐振腔只能得到与其共振频率相等的某个窄带信号，基于此，在环形腔结构的基础上，在负载通道中引入一组点缺陷，得到改进后的滤波器结构，此时在Ｂ端口的输出则为单一的窄带信号，其输出光谱如图２（ｂ）所示。由光谱分析可以得出，在引入点缺陷后，负载波导只选择与点缺陷发生共振的频带输出，而不发生共振的其他频带的信号则经过负载通道返回到主波导内，进而通过Ｍ 通道输出，使得Ｍ 端口输出能量加强。因此，改进后的滤波器结构由于引入了点缺陷，在负载输出端口只有单一频带的信号输出，这便具有了良好的滤波效果。 （光子晶体是在一种高折射率材料的某些位置周期性的加入低折射率的材料。高折射率和低折射率材料的交替排列所形成周期性结构就可以产生光子晶体带隙（类似于半导体中的禁带）。而周期排列的低折射率位点之间的距离大小会有不同，导致了一定周期长度的光子晶体只对一定频率的光波产生能带效应。） 所谓完全禁带，是指光在整个晶格空间的所有传播方向上都有禁带，并且每个方向上的禁带能相互重叠；而不完全禁带则是指，光只在特定的传播方向上有禁带，而且各个方向上的禁带并不完全重叠。光子晶体禁带的分布会受到两种介质的介电常数(或折射率)的差、填充比等结构因素的影响。 在具有缺陷的光子晶体中,因为原有的周期性或对称性受到破坏,其光子禁带中就有可能出现频率范围极窄的