非晶硅薄膜研究进展讲解.docVIP

非晶硅薄膜及其研究进展 摘要： 关键词：薄膜 Research Progress on a-Si:H Thin Films and Related Preparation Method Abstract: Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film has attracted considerable attention and been a subject of extensive studies worldwide on account of its important applications such as thin film solar cells, thin film transistors, radiation detectors, and liquid crystal displays based on its good electrical and optical properties. In this paper, the progress research on a-Si:H thin films and related preparation method are reviewed. Key words: a-Si:H thin films; doped; preparation method; research progress 1 引言 氢化非晶硅(a-Si:H)是硅和氢的一种合金，网络中Si-H键角和键长的各种分布打乱了晶体硅晶格的长程有序性，从而使非晶硅具有独特的光电性质。本征a-Si:H薄膜中，一般含有8% ~12%（原子分数）的氢，本征的a-Si材料的带隙宽度Eg约为1.7eV[1-3]。 1976年，美国RCA实验室Carlson和Wronski首次报道了非晶硅薄膜太阳电池[]，引起普遍关注，全世界开始了非晶硅电池的研制热潮。一般在太阳能光谱可见光波长范围内，非晶硅的吸收系数比晶体硅大将近一个数量级，其本征吸收系数高达 105cm-1。而且非晶硅太阳能电池的光谱响应的峰值与太阳能光谱峰值接近这就是非晶硅材料首先被用于太阳能电池的原因。首先非晶硅材料高的吸收系数，厚度可以小于1μm就可以充分的吸收太阳能，这个厚度不及单晶硅厚度的1%，可以明显的节省昂贵的半导体材料；其次硅基薄膜电池采用低温工艺技术（200℃），这不仅可节能降耗，而且便于采用玻璃、塑料等廉价衬底；最后硅基薄膜采用气体的辉光放电分解沉积而成，通过改变反应气体组分可方便地生长各种硅基薄膜材料，实现pin和各种叠层结构的电池，节省了许多工序，非晶硅薄膜的这些优点都很大程度上促进了非晶硅太阳能电池的开发与研究。 但是，非晶硅材料自身存在一些问题，由于薄膜内部存在大量的缺陷态(主要是悬挂键)，非晶硅材料在实际应用上受到了限制，与晶体硅太阳能电池相比，无论是材料理论、器件研究、工艺水平仍处于研究积累阶段，许多性质还有待于深入认识。非晶硅薄膜太阳能电池最大的缺点是电池的转换效率较低，商业化生产的产品通常只有6%；另一方面，非晶硅薄膜太阳能电池性能不够稳定，a-Si:H薄膜存在可逆光致结构变化（Staebler-Wronski效应[]），即a-Si:H薄膜在强光（通常是一个标准太阳的光强，100mW/cm2）下照射数小时，光电导逐渐下降，光照后暗电导可下降几个数量级并保持相对稳定；光照的样品在 150~200℃温度区间内退火两个小时，光、暗电导可恢复原值。 近年来，随着太阳能电池的不断发展，对于非晶硅薄膜的应用研究也越来越深入。非晶硅的晶化研究、纳米非晶硅研究、掺杂碳或锗非晶硅研究等都是非晶硅薄膜研究的热门领域。 2.1纳米非晶硅薄膜na-Si:H 1999年Sukti Hazra和 Swati Ray[10,11]报道了用纳米非晶硅(na-Si:H)作pin结构太阳电池的本征层，制备出了Voc为0.93V，Eff为8.7%的太阳电池。C.R.Wronski与R.W.Collins[12,13]研究发现，非晶硅薄膜的晶体结构极大地依赖于PECVD制备参数，尤其是氢气稀释比R(R=H2/SiH4)，并制备出稳定转化率为9~10%的单节纳米非晶硅薄膜太阳电池。在高氢气稀释比条件下，由于大量活性H原子碰撞和轰击作用，使得原本无序的非晶硅网络更加松弛，在非晶硅网络中形成少量的微晶硅形核区域，沉积的非晶硅薄膜比较厚则逐渐转为化微晶硅薄膜，即所说的纳米非晶硅薄膜。 然而国内的纳米非晶硅薄膜电池应用还处于研究阶段，国内中国科学院半导体研究所的胡志华[14]等人对纳米非晶硅结构做过相关的研究和报道，并用作pin结构太阳电池的本征吸收层，最终得到光电转化效率Eff为8.35%(AM1.5，100mW/c