南京工业大学模拟电子技术综合复习题(有答案)要点.docVIP

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。 A. ISeU B. C. D. IS 9、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 10、当晶体管工作在放大区时