LED基础知识培训资料讲解.ppt

芯片尺寸 外型尺寸，单位mil（英制） 1mil=1/1000 in =25.4μm 芯片是由外延片切出来的 例如：直径为2英寸的大圆片切成尺寸为11*9mil的芯片，共能切成多少个？ 晶圆圆面=πr2=3.14×106 μm2 芯片面积=长*宽=63870.4 μm2 N=晶圆圆面/芯片面积=32740（颗） 外延 芯片 技术与管理 技术要求较高；管理要求相对较低 管理要求较高；技术要求相对较低 重点：技术进步 重点：条件控制 SPC控制、6σ管理； 预防永远比补救重要！力争一次把事情做好！ 好的产品是做出来的，不是检验出来的。 质量管理的基本理念 质量管理主要目的是及时向生产线反馈信息，预防异常发生。 不仅要有好的工艺方案，而且要坚决执行。 质量提升无止境！ 抗静电能力（ESD） ESD（Electro-Static Discharge）即静电放电，通常用来评价电子器件对静电的承受能力。 LED行业通常的做法是在芯片（或者封装好的LED）上反向加载一个脉冲电压（模拟静电冲击），然后测试芯片（或者封装好的LED）的漏电，以此来评估芯片的抗静电能力。 LED ESD水平的高低处决于外延晶体质量、芯片制作过程。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * LED基本知识培训 大纲 1、引言 2、封装与应用 3、外延片生长 4、芯片制作 P N 晶体二极管是一种由P型半导体和N型半导体形成的p-n结器件，最显著的特征是单向导电性（整流特性）。 1、单质半导体Si、Se等， 2、化合物InP、GaN、GaAs、SiC、ZnS、ZnO等 1、引言 半导体材料分类： LED（light emitting diode）发光二极管 除了具有一般二极管的特性外，正向导通时能发出各种波长（颜色）的光。 P N 多量子阱 （MQW） 1、LED使用的都是化合物半导体材料 2、PN结之间插入多量子阱结构提高发光效率 3、LED发光波长主要由多量子阱组分决定 LED 问世于20世纪60年代，起源于美国，在日本发扬光大。 70年代初，美国杜邦化工厂首先研发出镓砷磷 LED，发桔红色，可作仪器仪表指示灯用。 随着技术进步，LED发光颜色覆盖从黄绿色到红外的光谱范围。 80年代后，用液相外延技术，制作高亮度红色LED和红外二极管。 MOCVD技术用于外延材料生长后，红光到深紫外LED亮度大幅度提高 AlGaAs使用于高亮度红光和红外LED。 AlGaInP适用于高亮度红、橙、黄及黄绿LED。 GaInN适用于高亮度深绿、蓝、紫和紫外LED。 90年代半导体材料GaN使蓝、绿色LED光效达到10 lm/w，实现全色化 2、封装与应用 LED应用 显示 照明 :发光后能被人看到,传递信息 :发光后照亮别的物体，使别的 物体能被人看到。 应用 :显示屏、信号指示、景观装饰 应用 :各种光源、液晶背光源 LED具有亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点 LED封装 直插式 贴片式 (Lamp) (SMD) 【注】SMD:Surface Mounted Devices,表面贴装器件 LED显示屏 LED信号指示 LED照明（SSL） 【注】SSL:Semiconductor Solid Lighting,半导体固态照明 半导体照明走入家庭的瓶颈在于：价格、可靠性、性价比 国际主流芯片大厂 Cree（科瑞）、Nichia（日亚）、Osram（欧司朗）、 Toyota Gosei（丰田合成）、Philips（飞利浦）、 Seoul Semiconductor（首尔半导体） 国内主要芯片厂家 厦门三安、杭州士兰、武汉华灿、上海蓝光、上海蓝宝 3、外延片生长 外延的概念：向外延伸（Epi） 同质外延：在同一种材质衬底（GaN）上外延生长 异质外延：在不同材质衬底（硅Si、蓝宝石Al2O3、碳化硅SiC） 上外延生长，（PSS） 蓝光外延片生长设备MOCVD （Metal Organic Chemical Vapor Deposition ） TS Veeco MOCVD外延生长示意图 GaN缓冲层 蓝宝石衬底 原材料：NH3、Ga源 载气：H2、N2 n-GaN 原