04微电子半导体工艺重点详解.ppt

半导体器件工艺 （半导体工艺部分） 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 2.集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路芯片的显微照片 沟道长度为0.15微米的晶体管 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 第一章、晶体的生长和外延 我们将介绍最常用的生长半导体单晶（最重要的是硅和砷化镓）的工艺。 一种与晶体生长密切相关的技术叫“外延生长”，当外延层和衬底材料相同时，就称为“同质外延” 1.硅的基本性能 导电性能 掺杂浓度越高，电阻率越低。10-3~1010?cm 加入不同杂质导致不同的导电类型。N型，P型 物理性能 硬度8.5?107g/cm2，熔点1420?C，E=190GPa，?=2.3g/cm3 化学性质 IV族，易与金属形成合金，易被碱性溶液腐蚀，主要以氧化物形式存在。 晶体性能 三种主要晶向：[100]、[110]、[111] 2.硅片的制备 原料：石英砂（SiO2） 在电弧炉中冶炼冶金级硅，纯度99% 用C或Al还原 含C、Fe、Al、Ti、B、P等杂质 化学提纯为半导体级多晶硅 三氯氢硅法和硅烷法 熔融拉片，形成单晶硅 制片：切片，磨片，抛光，清洗 直拉单晶硅 4.硅片直径变大的好处