硅纳米电极超低电压场致电离特性的研究.pdfVIP

第 期 华东师范大学学报（自然科学版） ３ Ｎｏ．３ 　 　 年 月 （ ） ２０１３ ５ Ｍａ ２０１３ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＥａｓｔＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ ｙ ｙ 文章编号： （ ） １０００５６４１２０１３０３０１９４０８ 硅纳米电极超低电压场致电离特性研究 ， １２ １ １ １ 陈 云 ， 张 健 ， 于江江 ， 郑小东 　 　 　 　 　 （ 华东师范大学 电子工程系，上海 ； 南通大学 电子信息学院，江苏 南通 ） １． ２００２４１ ２． ２２６０１９ 　 　 摘要：用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线，其平均长度为 ２０ ｍ，平均直径 μ 将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极，建立场致电离的测试系统，并在常 １００ｎｍ． 温常压下测试出电离的全伏安特性，得出了一维纳米电极系统气体电离的规律 测试结果表明， ． 利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极，可以大大降低系统的击穿电压，原因在 于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度． 关键词：硅纳米线； 场致电离； 击穿电压； 湿法化学刻蚀 　 　 　 中图分类号： 文献标识码： ： ／ Ｏ４７ Ａ 犇犗犐１０．３９６９ ．ｉｓｓｎ．１０００５６４１．２０１３．０３．０２１ 　　 　　 ｊ 犝犾狋狉犪犾狅狑狏狅犾狋犪犲犳犻犲犾犱犻狅狀犻狕犪狋犻狅狀狅犳狊犻犾犻犮狅狀狀犪狀狅犲犾犲犮狋狉狅犱犲 犵 ， ， ， ＣＨＥＮＹｕｎ ＺＨＡＮＧＪｉａｎ ＹＵＪｉａｎｉａｎ ＺＨＥＮＧＸｉａｏｄｏｎ 　 　 ｇｊ ｇ　 ｇ （ ， ， ， ； １．犇犲犪狉狋犿犲狀狋狅 犈犾犲犮狋狉狅狀犻犮犈狀犻狀犲犲狉犻狀 犈犪狊狋犆犺犻狀犪犖狅狉犿犪犾犝狀犻狏犲狉狊犻狋 犛犺犪狀犺犪犻 ２００２４