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超薄晶圆减薄技术 3D-TSV封装技术需要将晶圆/芯片进行多层叠层键合，同时还必须满足总封装厚度要求，必须对晶圆厚度减薄至30~100 μm。传统单一晶圆减薄技术（表4）无法满足工艺要求，需要开发超薄晶圆减薄技术当晶圆减薄至30 μm极限厚度时，要求表面和亚表面损伤尽可能小，一般采用机械磨削+CMP、机械磨削+湿式刻蚀、机械磨削+干法刻蚀、机械磨削+干式抛光等四种减薄工艺方案。 * 晶元化学减薄过程原理 * 芯片/晶圆叠层键合技术 3D-TSV封装技术需要将不同材料、不同种类、不同尺寸的裸芯片在垂直方向进行叠层键合，实现机械和电气互连。 根据键合材料不同，主要有硅熔融键合、金属热压键合、共晶键合、聚合物键合等。硅熔融键合温度较高、工艺条件苛刻；聚合物键合热稳定性较差，较少用于3D-TSV封装，金属热压键合、共晶键合与现有半导体封装工艺设备兼容而被广泛采用。 * 3D-TSV封装技术典型应用案例 * * Marx Ma * ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ? ASE Group. All rights reserved. ASE Confidential / Security -B ASE Confidential / Security-B W/B3D封装工艺介绍 * 封装方式的进展 20世纪70年代 主流封装方式DiP 20世纪80年代 SMT工艺 LCCC ,PLCC,SOP,QFP 20世纪90年代 BGA封装 1996~1998 COB 1998~2000 CSP 2000~现在 MCM,SIP,WLCSP,TSV…. 21世纪开始封装模式多元化 技术革新化 表层封装已逐渐满足不了科技日新月异的更新需求，而未来封装的发展趋势一定是3D封装 * 单层BGA封装 * 3D封装 * Wire Bonding 是什么？ Wire Bonding (压焊，也称为帮定，键合，丝焊) 是指使用金属丝（金线等），利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。 * Wire Bonding 的方式： Wire Bonding 的方式有两种： Ball Bonding(球焊)和 Wedge Bonding (平焊/楔焊) Ball Bonding ( 球焊） 金线通过空心夹具的毛细管穿出，然后经过电弧放电使伸出部分熔化，并在表面张力作用下成球形，然后通过夹具将球压焊到芯片的电极上，压下后作为第一个焊点，为球焊点，然后从第一个焊点抽出弯曲的金线再压焊到相应的位置上，形成第二个焊点，为平焊（楔形）焊点，然后又形成另一个新球用作于下一个的第一个球焊点。 * Wedge Bonding （平焊/楔焊） 将两个楔形焊点压下形成连接，在这种工艺中没有球形成。平焊比球焊的焊盘间距需求少（平焊最少75um 球焊最少125um） Ball Bonding 图 Wedge Bonding 图 两种W/B形式