氧原子对GaN光电特性影响的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 GaN是优越的III—V族直接带隙半导体材料，是III-V族家族中最引人注目的 半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。 OaN基光电子器件的制备和工艺均得到了很大程度的发展，但是相关的物理机制 尚存争议。本论文即在重点讨论相关器件的物理问题，希望能够对GaN基光电器 件的研制和发展提供一定的指导意义。 第一章简要阐述了GaN的制备方法，晶体结构类型和性质。从结构入手说明 了GaN做为光电材料的优点：达3．5eV的宽禁带直接带隙的半导体。接着介绍了 GaN的不同发光类型和相应的特点。然后分析了不同的杂质对(；aN发光的影响。 特别指出了掺Mg的GaN作为P型半导体的发光性质和研究现状。最后分别介绍 了OaN基的两个重要异质结：ZnO／OaN和CrO：／(；aN。 第二章研究和讨论了ZnO／OaN的界面性质。经化学方法出去ZnO／GaN中的 ZnO后，比较生长ZnO日，JI后的(；}=lN的发光的变化，通过…系列的实验和1分析，我们 认为0在生长ZnO薄膜的过程中扩散进入了(；a、内，使得(涵＼的发光发生蓝移。 蓝移后的发光与报道的ZnO／GaN的发光一致，因此我们认为ZnO／(；a．＼的发光来自 GaN层。 第三章初步探索了CrOFGaN结的制备，研究了生长在TiO!衬底上的CrO：的结 构、磁学性质和输运性质。在此基础上，制备了CrO?／(；aN异质结，对生长在(；aN 上的CrO!的输运行为进行了详细的讨论。此外，我们还对生长CrO：日订后的OaN的 发光进行了研究和分析，认为在在CrO：与GaN的界面处形成了OaN：Cr层，导致了 低能端电致发光谱的变化。 关键词：GaN，光致发光，ZnO／GaN异质结，界面，半金属，Cr02／GaN， 磁电阻效应，电致发光 ABSTRACT ABSTRACT Gallium oneofthedirect semiconductormaterials Nitride(GaN)is bandgap for at whichis out itswide room standing bandgap(3．4eVtemperature)，whichplays an roleonthe attentionhavebeenfocusedon important optical—electronics．Much the and forwardits thereis investigatingpropertiesput application．Althoughalready moreenhancementonthedeviceformationandfabrication．someissuesisstill open GaN tOdebate．Inthe attentiononthe mechanismonthe thesis，morepaid physics based as to some and devices，suchZnO／GaN，Cr02／GaN，and help hopedprovide the d