CO_2激光-化学腐蚀制作金阵列微电极.pdfVIP

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2016-05-09 发布于安徽
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第 12卷　第 4 期电化学 Vol. 12　No. 4 2006年 11月 EL ECTROCH EM ISTRY Nov. 2006 文章编号 :(2006) 04 0429005 CO2 激光化学腐蚀制作金阵列微电极张　维 , 肖江群 ,周勇亮 (厦门大学化学化工学院化学系 , 化学生物学福建省重点实验室 ,福建厦门 36 1005) 微电极的制作是微流控芯片电化学检测的关键技术. 本文提出 CO 激光烧蚀结合化学腐蚀快速制摘要 : 　 2 作微流控芯片阵列微电极的方法. 在溅射 A u /Cr的玻璃基片上涂敷指甲油作牺牲层 ,利用 CO 激光烧蚀开窗 2 μ 口,经化学腐蚀后获得阵列电极 , 电极宽度为 100 m. 考察了激光加工参数及牺牲层对电极加工质量的影响 ,对由键合包封制作的微流控芯片 ,循环伏安及流动注射分析测试表明 ,该电极芯片可用于微流控芯片的安培检测. 关键词 : 　微流控芯片 ; 金电极 ; CO 激光 2 O657. 1; TN 4　　　　　　　　 A 中图分类号 : 　文献标识码 : 　 μ 　　近 15年来 ,微流控芯片已在许多领域得到广输出波长 10. 6 m. A E3 1EFINV 落射式显微镜泛应用 [ 12 ] . 电化学方法以其易于集成以及检测灵 ( ) ( ) 中国厦门 Motic . CH I814 双恒电位仪美国 . 敏度不受电极尺寸限制等优点而受到重视 [ 3 ] . ( N E50 1型注射器泵美国 N ew Era Pump System s 微电极 ,尤其是金属微阵列电极的加工集成是 Inc. ) . 电化学检测微流控芯片的关键技术之一. 目前金 ( ) Sylgard 184 PDM S 美国 Dow Corn ing 按质量属阵列电极的制作多采用结合光刻和化学腐蚀的比 10 ∶1将单体和交联剂混合 , 100 ℃加热 1 h 固 ( ) [ 4 ] 剥离技术 L iftoff ,加工精度高 ,可制作较复杂化 ;王水用浓 HNO 和浓 HC l按体