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电子信息材料 -08——敏感材料 第八章 敏感材料 目录 8.1 力敏材料 8.2 热敏材料 8.3 压敏材料 8.4 磁敏材料 8.5 湿敏和气敏材料 常见敏感材料 力敏材料 热敏材料 电压敏感材料 磁敏材料 离子敏感材料 湿敏材料 气敏材料 光敏材料 声敏材料 对传感器用敏感材料的基本要求 1/ 对于某种特定变量（物理、化学、生物等变量）具有较高的敏感性，能够迅速将微小的变化准确地、可重复地变换为相应的电信号输出。 2/ 在一定条件下，除了对所指定的一种变量敏感外，对其余变量都不敏感，能在环境中存在多种变量的复杂情况下，准确摄取所指定的变量信息，也就是具有良好的选择性且响应速度要快。 3/ 应该具有良好的环境适应性。 检测某种对象应该明白用那种相应的物理效应。 8.1 力敏材料 力敏材料用于力学量传感器，主要用于测量力、加速度、扭矩、压力、流量等物理量。这些量的测量都与机械应力有关。 力学量传感器的种类繁多，有电阻式、电容式、变磁阻式、振弦式、压阻式、压电式、光纤式等。不同类型的力学量传感器所涉及的原理、材料、特性及工艺也各不相同。 8.1.1 金属应变片材料 以金属合金材料为主，结构简单，性能可靠，使用方便，易于实现测试过程自动化。 原理：金属材料的电阻值随其形变将发生改变，称为电阻应变效应。金属材料的电阻值相对变化量（ΔR/R）在一定范围内与材料的灵敏度系数K成正比，K标志着材料的力电转换能力。 Ｋ＝ （ΔR/R）／ε，ε为材料的轴向应变量 丝状金属未受外力作用时，Ｒ＝ρＬ／Ｓ（＊） 受到拉伸作用后，电阻值变化量为ΔR，长度变化量为ΔＬ，截面积变化量为ΔＳ，电阻率变化量为Δρ。 将（＊）式微分，近似得到电阻值的相对变化率： ΔR/R＝ ΔＬ/Ｌ－ ΔＳ／Ｓ＋ Δρ／ρ 上式当中， ΔＬ/Ｌ＝ε为材料的轴向应变，而我们令ΔＳ／Ｓ＝－２με，μ为材料的泊松比 考虑到Ｋ的定义式，Ｋ＝ （ΔR/R）／ε，代入得到：Ｋ＝１＋２μ＋（Δρ／ρ）／ε 材料的灵敏度系数受两个因素的影响： 1/ 材料的应变； 2/ 材料的电阻率的变化。 对于金属或合金材料而言，哪一项是主要的，对于力敏半导体而言哪一项为主？ 金属合金应变计大都采用箔式应变片，箔材以Cr-Ni合金和Cu-Ni合金为主，厚度为5-20μm之间，应变电阻的阻值为120-600欧姆。 8.1.2 半导体力敏材料 主要是单晶硅。 原理：当外力作用在单晶硅上后，其电阻率将发生显著的变化，称为压阻效应。半导体力敏材料的力-电转换指标是压阻系数G。 单晶硅的灵敏度系数K与压阻系数G和弹性模量E之间有以下关系： K=1+2μ+GE 对于金属材料，GE项很小，泊松比μ的数值为0.25-0.50，故灵敏度系数K=1.5-2.0。 对于半导体材料，GE项比（1+2μ）大得多， G=（40-80）×10-11m2/N，E=1.67×10-11Pa 灵敏度系数：K=50-100。 8.1.3 薄膜力敏材料 用真空溅射、蒸发、离子镀等制薄膜等技术将材料直接沉积在衬底上，无需贴片工艺，减少了应变计的零漂、蠕变和机械滞后，增加了可靠性。 应该满足的条件： 1/ 电阻率要高。 2/ 电阻温度系数要小。 3/ 材料与电极的接触电势要小。 4/ 应变材料在测量范围内不发生相变。 NTC半导磁一般为尖晶石结构，AB2O4。 当B位置的阳离子为可以变价的阳离子时，也就是二价和三价的离子均占据B位时，才能形成半导体。由于B位离子间距小，电子云重叠几率大些，可以实现电子交换。而正尖晶石结构的晶体一般为大带隙的绝缘体。 一定要注意我们所要面对的温区： 中、高温还是低温。 对于NTC材料越低温越灵敏还是越高温越灵敏？ 临界温度电阻（CTR）热敏材料 CTR材料是指具有突变电阻温度特性曲线的材料，主要有Ag2S-CuS系和V系。一般来说，这类材料在相当窄的温度区间内其电阻值有3-5个数量级的突变。其临界温度与组成密切相关。 应用范围是否十分狭窄？ PTC材料： PTC材料是随温度上升而阻值增大的材料，最普遍的PTC热敏电阻之一通常是在BaTiO3陶瓷中掺入稀土元素使之半导化而得到。 BaTiO3半导体陶瓷热敏电阻的工作机理： 材料的势垒高度与相对介电常数ε有关，在Tc以下，ε很高，势垒很低。在Tc以上， ε-T关系服从居里外斯关系，并且大大降低，势垒升高。 这个势垒是指晶粒边界上的肖特基势垒。 BaTiO3半导体陶瓷室温电阻率高，应用受限，近年来开发了V2O3系材料。 8.3 电压敏材料 电压敏感陶瓷的性质 电压敏感陶瓷是指具有非线性伏安性，对电压变化敏感的半导体陶瓷，它在某一临界电压以下，电阻值非常高，几乎没有电流通过，但是当外加电压超过这个临界电