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硅烷偶联剂对多孔硅的稳定化研究 ２２３ 文章编号：１００６９９４１（２０１２）０２０２２３０６ 硅烷偶联剂对多孔硅的稳定化研究 王守旭，沈瑞琪，叶迎华，胡艳 （南京理工大学化工学院，江苏南京２１００９４） 摘　要：为了将多孔硅应用于含能材料的制备，采用电化学双槽腐蚀法制备了平均孔径４．３ｎｍ，厚度超过１００ ｍ的不龟裂多孔 μ 硅薄膜，利用硅烷偶联剂（ＫＨ５５０，ＫＨ５６０，ＫＨ５７０）对此多孔硅薄膜进行表面处理，采用红外光谱（ＦＴＩＲ）技术研究了三种硅烷偶联 剂对多孔硅处理前后红外光谱的变化。结果显示，三种硅烷偶联剂均大大降低了多孔硅表面的Ｓｉ—Ｈｘ键的数量，使不稳定的Ｓｉ—Ｈ 键转化成更加稳定的 Ｓｉ—ＯＲ键。其中 ＫＨ５５０和 ＫＨ５７０消除悬挂键的效果优于 ＫＨ５６０。 关键词：应用化学；多孔硅；硅烷偶联剂；表面改性；悬挂键；稳定化 中图分类号：ＴＪ５５；ＴＪ４５；Ｏ６９ 文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００６９９４１．２０１２．０２．０１９ 炸现象［１５］。此后，中国、美国、德国、南非和俄罗斯 １　引　言 ［１６－２２］ 等 国家的研究人员对多孔硅的爆炸现象进行了 研究，发现多孔硅在填充单质硫、高氯酸钠、高氯酸铵、 　　多孔硅（ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ，ＰＳ）在２０世纪 ５０年代由 ［１］ 镧系金属的硝酸盐等多种氧化性物质时均可发生强烈 美国贝尔实验室的 Ｕｈｌｉｒｌ 首次被发现，多孔和易被 的爆炸反应。通过填充适当氧化剂，多孔硅可以用于 氧化的特点使其从 ２０世纪 ７０年代就在硅集成电路 制备新型高能含能材料和体积小、威力大的智能型火 中作为电隔离结构和 ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结构 ［２］ 工器件。 中得到广泛应用。１９９０年，英国科学家Ｃａｎｈａｍ 发 　　电化学腐蚀法制备的多孔硅表面性质很活泼在空 现，用紫外光或氩离子激光照射多孔度达到一定程度 气中极易氧化，严重影响其在新型含能材料中的应 的多孔硅表面时，可在室温下观察到强烈的可见光发 ［２３］ ［２４－２５］ 用 。虞献文 等利用阴极还原和阳极氧化等方 射。这一发现在科学界产生很大轰动，引起了人们将 法对多孔硅进行稳定化处理，取得了一定的效果，但这 硅半导体应用于 ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）发光器件 些处理技术不适合多孔硅在新型含能材料领域中的应 和大面积平板显示技术的极大兴趣。此外，多孔硅在 用。因此，为了将多孔硅应用于新型纳米含能材料领 ＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌｓｙｓｔｅｍｓ）技术［３］、电 域，南京理工大学化工学院 ３０３教研室利用硅烷偶联 致发光／光致发光 ［２，４－６］、太阳能电池［７－９］和燃料电