半导体基础和二极管解析.ppt

* * * * * * * * * * * * 由空间电荷区产生的、方向为N区指向P区的内建电场阻碍了扩散运动，同时使少子产生漂移运动，即N区的空穴向P区漂移， P区的电子向N区漂移。 当漂移运动和扩散运动达到动态平衡时，扩散电流等于漂移电流且方向相反，PN结中电流为零，PN结宽度及电位差Uho为恒定值。 硅：（0.6～0.8）V；锗：（0.1 ～0.3）V。 在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本上稳定下来。 P 区 N 区 内电场方向 内电场方向 二、 PN 结的特性 1、PN 结的单向导电性 内电场方向 E 外电场方向 R I P 区 N 区 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 空间电荷区 变窄 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 （1） 外加正向电压(正偏) P 区 N 区 内电场方向 E R 空间电荷区变宽 外电场方向 IR （2） 外加反向电压(反偏) 少数载流子越过PN结形成很小的反向电流 PN结的单向导电性 PN结正偏时的正向电流是扩散电流，数值较大,此时容易导电； PN结反偏时的反向电流是漂移电流，数值很小，几乎不导电; 2、PN结的伏安特性及其表达式 I / mA U / V Is为反向饱和电流， 常温时：UT ≈26mV 温度对反向电流的影响： T↑，少子↑ ，IS ↑ PN加正向电压，且UUT时， PN加反向电压，且?U ? UT时， 3、PN结的击穿特性 当PN结反向电压超过一定数值UBR后，反向电流急剧增加，该现象称为反向击穿， UBR称为反向击穿电压 齐纳击穿 雪崩击穿 雪崩击穿：掺杂浓度低，当反向电压比较大时，耗尽层中的少子加快漂移速度，撞击共价键，形成电子-空穴对，新的电子和空穴在电场的作用下加速运动，撞出新的价电子。载流子雪崩式倍增，导致电流急剧增加。一般在7V以上。 齐纳击穿：在掺杂浓度高的情况下，不大的反向电压可以在耗尽层产生很强的电场，直接破坏共价键，形成电子-空穴对，导致电流急剧增加。硅材料一般在4V以下。 在4 ～7V之间，两者都有。 （1） 势垒电容CB PN结中空间电荷的数量随外加电压变化所形 成的电容称为势垒电容。 PN结电容 势垒电容 扩散电容 4、 PN结的电容效应 S：PN结面积 d：PN结宽度 ε：半导体介电常数 非平衡少子在扩散过程中存在浓度差，扩散区内积累的电荷量随外加电压变化而变化，所形成的电容称为扩散电容 。 （2） 扩散电容 CD I：正向电流 UT：温度电压当量 τ：非平衡少子的寿命 PN结的结电容CJ为势垒电容CB与扩散电容CD之和，即 CJ=CB+CD 符号 阳极 阴极 1.2 半导体二极管 + SiO2保护层 P型区 — 平面型 N型硅 PN结 点接触型 + 触丝 N型锗 支架 外壳 — PN结 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 U / V 1.2.2 二极管的伏安特性 一、正向特性 阈值电压Uth:使二极管开始导通的电压 硅管Uon=0.5V 锗管Uon=0.1V 导通电压： 硅(0.6～0.8)V (取0.7V） 锗(0.1～0.3)V (取0.2V） I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth U / V 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 （与电压基本无关） I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth 三、击穿特性 当二极管承受的反向电压超过击穿电压UBR后，反向电流急剧增加。 材料 开启电压UON （V） 导通电压 （V） 反向饱和电流（?A） 硅 ≈0.5 0.6 — 0.8 0.1 锗 ≈0.1 0.1—0.3 几十 两种不同材料构成的二极管的比较: 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压UR 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由PN结 面积及散热条件决定。 二极管在使用时所允许加的最大反向电压，通常为击穿电 压的一半。 3、反向电流IR 4、最高工作频率fM 二极管未击穿时的反向电流值。 主要由PN结的结电容大小决定。超过此值，单向导电性变差。 二极管的应用范围很广,它可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 一、半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分