L04-小尺寸MOSFET特性.ppt

半导体器件原理 主讲人：蒋玉龙 本部微电子学楼312室Email: yljiang@ 21 第四章 小尺寸MOSFET的特性 4.1 MOSFET的短沟道效应和窄沟道效应 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性 4.3 MOSFET的按比例缩小规律 第四章 小尺寸MOSFET的特性 4.1 MOSFET的短沟道效应和窄沟道效应 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性 4.3 MOSFET的按比例缩小规律 第四章 小尺寸MOSFET的特性 4.1 MOSFET的短沟道效应和窄沟道效应 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性 4.3 MOSFET的按比例缩小规律 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性1 4.2.1 载流子速度饱和效应 v 不饱和区 v 饱和区 v(Ey) = Ey Esat Ey ? Esat 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性2 4.2.1 载流子速度饱和效应 长沟道、短沟道直流特性对比 长沟道 短沟道 线性区 IDS 饱和条件 ? ? 饱和区 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性3 4.2.1 载流子速度饱和效应 短沟道 MOSFET 饱和区特性 计算沟道中 P 点（速度达到 vsat ，电场达到 Esat ）的电流 区 I： 区 II： = ? ? 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性4 4.2.1 载流子速度饱和效应 短沟道 MOSFET 的直流特性 线性区 饱和区 饱和条件： 当 Esat L (VGS ?VT) 时， ? ? VGS ? VT ? 与 L 无关（gm 与 L 无关） 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性5 4.2.1 载流子速度饱和效应 速度饱和效应对短沟道 MOSFET 的输出特性的影响 长沟道 速度未饱和 短沟道 速度饱和 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性6 4.2.1 载流子速度饱和效应 长沟道、短沟道 MOSFET 特性对比 注：Eq. 4-12 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性7 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 1. 突变结耗尽层近似模型 对 II 区（VSR）的 3 条假设： ? 只考虑 VDS ，不考虑 VGS ； ? 可动电荷 = 0； ? 突变结，P点为耗尽层边界. 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性8 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 1. 突变结耗尽层近似模型 突变结耗尽层近似模型 VSR 压降 = VDS ? VDSsat 或 I 区 Ey(y) 在 P 点不连续！ 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性9 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 2. 恒定电场梯度模型 (1) 对假设 ? 作修改： 拟合参数 (2) 对假设 ? 作修改： ? Esat VSR 区中 线性增加 ?? 低估了漏端 Ey(y) ！ 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性10 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 3. 准二维模型 考虑 Eox(y’) ?? 准二维 仍假设 Ey(y’) 是 y’ 的函数， 但不是 x 的函数. 仍考虑可动电荷 应用高斯定理 对 y’ 求导 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性11 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 3. 准二维模型 ? 这里 边界条件 VDS 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性12 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 3. 准二维模型 在漏端（y’ = ?L） ? ? 指数上升规律 = ? 当 (VDS ? VDSsat) / l Esat 时 4.2 小尺寸MOSFET的直流特性13 4.2.2 短沟道器件沟道中的电场 3. 准二维模型 实际 l 需用经验公式修正 l = tox ? 15 nm tox 15 nm 4.3 MOSFET的按比例缩小规律1 4.3.1 按比例缩小规律概述 Moore’s Law Continues Transistors doubling every 18 months towards the billion-transistor microprocessor 4.3 MOSFET的按比例缩小规律2 4.3.1 按比例缩小规律概述 Transistor Gate Length Scaling 4.3 MOSFET的按比例缩小规律3 4.3.1 按比例缩小规律概述 International Technology Roadmap of Semiconductors 4.3 MOSFET的按比例缩小规律4 4.3.1 按比例缩小规律概述 (1) Why miniaturization? 速度 ? 功耗 ? 集成度 ? 功能 ? 价格 / 功能 ? (2) How miniaturization? Scaling ac