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MOSFET新材料 （a）高介电常数（高k）栅介质薄膜的制备技术及其工艺研究: 在相同等效氧化层厚度的情况下，高k栅介质具有更厚的物理厚度，有助于减小栅与沟道间的直接隧穿电流，降低器件功耗，提高器件可靠性。2007年，高k栅介质/金属栅技术被Intel公司在其45nm工艺制程中率先采用。采用高k栅介质/金属栅结构，可有效克服传统多晶硅/SiON结构面临的难以逾越的困难，是集成电路沿摩尔定律发展的有力保证。近几年，高k栅介质材料领域的研究成果层出不穷，性能优良的新型高k栅介质材料不断涌现。现今，高k栅介质材料的研究热点主要集中于Hf基高k栅介质材料的研究，其中以掺杂型Hf基高k栅介质材料为主，包括HfON、HfAlO、HfAlON、HfSiO、HfSiON、HfTaO和HfTaON等。 （b）金属栅的制备技术及其工艺研究。 　　难熔金属栅能够很好的解决多晶硅栅电极存在的问题，因而被认为是最有希望的取代多晶硅栅电极的下一代栅电极材料。为了满足半导体工艺的要求，金属栅材料应满足以下几点要求：（1)良好的导电性；（2）高热稳定性。在高温下要与介质材料保持良好的热力学稳定性，不与下层的二氧化硅或高k栅介质发生发应；具有很高的熔点，能够经受源漏杂质激活退火等热过程；（3）与栅介质层之间要有好的黏附性，与其周围材料间的应力要小；（4）与CMOS工艺兼容性好；（5）具有合适的功函数和栅功函数调节