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3.2 最简单的与、或、非门电路 3.2.1 二极管与门 3.2.2 二极管或门 3.2.3 三极管非门（反相器） 3.2.1 二极管与门 3.2.2 二极管或门 3.2.3 三极管非门（反相器） 3.3 TTL集成逻辑门 推拉式输出级并联的情况 在普通门电路的基础上附加控制电路。EN为控制端（使能端） 三态输出门应用 带缓冲级的CMOS与非门电路 带缓冲级的CMOS或非门电路 3.5 CMOS集成门电路 3.5.1 CMOS反相器工作原理 3.5.2 CMOS反相器主要特性 3.5.3 CMOS逻辑门电路 3.5.4 CMOS传输门 3.5.5 CMOS 电路正确使用方法 3.5.1 CMOS反相器工作原理 CMOS集成电路是以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管串联互补和并联互补为基本单元的组件，称为互补型MOS器件。 图示 CMOS 非门，T1是增强型PMOS管， T2是增强型NMOS管，开启电压分别为VGS(th)P和VGS(th)N。它们的栅极（G）并接在一起作为输入端，漏极（D）串接在一起作为输出端，PMOS 的源极（S）接正电源VDD，NMOS 的源极（S）接地。VDDVGS(th)N+|VGS(th)P|。 当vI=VIL=0V时， |vGS1|=VDD|VGS(th)P|，T1导通，内阻很低；vGS2=0VGS(th)N，T2截止，内阻很高，输出为高电平VOH。 当vI=VIH=VDD时， |vGS1|=0|VGS(th)P|，T1截止，内阻很大； vGS2=VDDVGS(th)N， T2导通，内阻很小，输出为低电平VOL。 特点： 无论vI是高电平还是低电平，PMOS管和NMOS管总是工作在一个导通另一个截止的状态，即所谓互补状态，称此电路结构形式为 CMOS 电路。 静态下，NMOS和PMOS管总有一个是截止，且截止内阻很高，静态电流很小，因而CMOS反相器的静态功耗极小。 3.5.2 CMOS反相器主要特性 1. 传输特性 AB段： vI=vGS2VGS(th)N，T2截止； |vGS1|=VDD-vI|VGS(th)P|，T1导通，非饱和区，vO≈VDD。 CD段： vIVDD-|VGS(th)P|，|vGS1||VGS(th)P|， T1截止， vGS2VGS(th)N， T2导通，非饱和区，vO≈0。 BC段： T2 、T1都导通。 （1）电压传输特性 （2） 电流传输特性 AB段，T2截止；CD段，T1截止，内阻很高，流过T1、T2的漏电流几乎等于0， BC段， T2 、T1都导通，有电流流过，且在1/2VDD附近最大。 CMOS反相器特点： （1）静态功耗极低 （2）抗干扰能力较强 （3）电源利用率高 （4）输入阻抗高，带负载能力强 2. 输入输出特性 (1) 输入特性 由于栅源间电容特性，易击穿，须采取保护措施，所以加二极管保护电路。 在正常输入范围（0～VDD）内，保护电路不起作用。当输入信号vIVDD+VD（二极管正向导通电压）时，输入保护二极管D1导通，vG钳于VDD +VD；当vI-VD时，D2导通，vG钳于-VD。 CMOS输入保护电路 CMOS反相器输入特性 (2) 输出特性 a. 低电平输出特性 输出低电平时，T2导通，随负载电流增加，T2导通压降加大，输出低电平升高。 输出电阻大小与vGSN(vI)有关，vI越大，输出电阻越小，反相器带负载能力越强。 b. 高电平输出特性 输出高电平时，T1导通，随负载电流增加， T1导通压降加大， 输出高电平降低。 3. 电源特性 CMOS反相器电流特性包含静态功耗和动态功耗。 在静态时，TP和TN总是处在有一个截止的工作情况，而截止时漏电流又极其微小，所以该功耗可忽略不计。 CMOS反相器功耗主要取决于动态功耗，尤其是在工作频率较高的情况下，动态功耗比静态功耗大得多。 3.5.3 CMOS传输门 传输门是一种传输模拟信号的压控开关，也是构成逻辑电路的基本单元。结构和符号如图，T1是NMOS管，T2是PMOS管，有两个互补控制端C和C。 控制信号高低电平分别为VDD和0V，输入信号范围0～VDD。 当C=0，C=1时，两管截止，输入输出断开，传输门截止； 若0vIVDD-VGS(th)N，则TN导通； 若|VGS(th)P|vIVDD，则TP导通； 即，在输入0～VDD之间至少一个管子导通。 当C=1，C=0时， CMOS双向模拟开关：用于传输模拟信号 传输门的另一个重要用途是作模拟开关，用来传输连续变化的模拟电压信号。模拟开关的基本电路是由CMOS传输门和一个CMOS反相器组成的，也是双向器件。 C、C 为互