半导体第一章要点.ppt

?当B沿111方向,对六个能谷,均给出 cos2θ=1/3, sin2θ=2/3—只有一个共振吸收峰 ?当B沿110方向, 有θ=45o和θ=90o --观察到二个共振吸收峰 ?当B沿100方向, 有θ=0o和θ=90o --观察到二个共振吸收峰 ?当B对晶轴任意取向, 观察到三个共振吸收峰 （2） 有效质量: 具有等能面的对称性 对Si 纵向ml= 0.98m0 横向mt= 0.19m0 （3）导带的E?k关系及能隙Eg: 室温下 Eg= 1.12eV T↗,Eg↘ 锗的导带结构 能隙Eg: 室温下 Eg= 0.67eV, T↗,Eg↘ n型锗的导带极小值位于＜111＞方向的简约布里渊区边界上，共有八个 极值附近等能面为沿＜111＞方向旋转的八个旋转椭球面 每个椭球面有半个在布里渊区内 在简约布区内共有四个椭球 ml=(1.64±0.03)m0 mt=(0.0819±0.0003)m0 Si价带极大值 位于布里渊区的中心（坐标原点K=0）。 存在极大值相重合 的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 ，(mp*)h 。 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴。（mp*)l 。 硅的价带结构 硅的价带结构 硅的价带结构 硅的价带结构 Ge价带极大值 位于布里渊区的中心（K=0） 存在极大值相重合 的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 。 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴。 锗的价带结构 锗的价带结构 锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近，通常称锗、硅的导带具有多能谷结构。 硅和锗的导带底和价带顶在k空间处于不同的k值，为间接带隙半导体。 1.7 III-V族化合物半导体的能带结构 1、锑化铟的能带结构　 2、砷化镓的能带结构 3、磷化镓和磷化铟的能带结构 4、混合晶体的能带结构 锑化铟的能带结构 锑化铟的导带极小值位于k=0处，极小值附近的等能面是球形的。 极小值处E（k）曲线曲率很大，导带底电子有效质量很小，能带是非抛物线形的。 锑化铟的价带包含三个能带： 重空穴带，轻空穴带，由自旋-轨道耦合分裂出来的第三个能带。 锑化铟的能带结构 砷化镓的能带结构 导带极小值： 一个在k=0处，为球形等能面 一个在[111]方向，为椭球等能面，能量比k=0处的高0.29eV 一个在[100]方向，为椭球等能面，能量比k=0处的高0.48eV 价带顶 价带顶也在布里渊区中心k=0处，有三个价带：重空穴带、轻空穴带、自旋-轨道耦合分裂出的能带。 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值点为于K空间的同一点，这种半导体称为直接带隙半导体。 磷化镓的能带结构 GaP为间接跃迁型 Eg=2.272eV 磷化铟的能带结构 InP为直接跃迁型 Eg=1.34eV 混合晶体的能带结构 III—V族化合物之间能形成连续固溶体——混合晶体 能带结构随合金成分的变化间连续变化 混合晶体的能带结构 混合晶体A1-xBxC的经验公式 混合晶体的能带结构 砷化镓和磷化镓合成后可以制成磷砷化镓混合晶体，形成三元化合物半导体GaAs1-xPx III-V族化合物构成的混合晶体 混合晶体的能带结构和晶格常数都随组分的变化而变化. ?例如三元化合物GaAs1-XPX 四元化合物不仅可以调节能带结构和晶格常数, 还可以调节其他材料性质(如热膨胀系数, 机械性能等) ?例如Ga1-XInXP1-YAsY 1.8 II-VI族化合物半导体的能带结构 1、二元化合物的能带结构 2、混合晶体的能带结构 闪锌矿结构的硫化锌、硒化锌、碲化锌导带极小值和价带极大值均位于k＝0处 价带 包含重空穴带、轻空穴带和自旋—轨道耦合分裂出来的第三个能带 禁带宽度较宽，分别为3.68、2.70、2.28eV 电子有效质量分别为0.34m0 、0.17m0 、0.13m0 ZnS直接带结构 碲化镉的能带结构 碲化汞的能带结构 四面体结构半导体的禁带宽度随平均原子序的变化 II-VI族混合晶体的能带结构 半导体和半金属之间也能形成混合晶体 ?例如碲化镉和碲化汞可以制成碲化镉