中频磁控溅射制备不同SW原子比WSx薄膜的结构和摩擦学性能研究.pdfVIP

第 ３３卷　第５期 摩 擦 学 学 报 Ｖｏｌ３３　Ｎｏ５ ２０１３年９月 Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ Ｓｅｐｔ，２０１３ 中频磁控溅射制备不同Ｓ／Ｗ原子比ＷＳ ｘ 薄膜的结构和摩擦学性能研究 １，３ １，２ １ １ １ １ 徐书生 ，高晓明 ，胡　明 ，孙嘉奕 ，翁立军 ，刘维民 （１．中国科学院兰州化学物理研究所 固体润滑国家重点实验室，甘肃 兰州　７３００００； ２．上海市空间飞行器机构重点实验室，上海　２０１１０８；　３．中国科学院大学，北京　１０００４９） 摘　要：采用中频磁控溅射制备了ＷＳ薄膜，通过Ｘ射线衍射 （ＸＲＤ）、场发射扫描电子显微镜（ＦＥＳＥＭ）、原子力 ｘ 显微镜（ＡＦＭ）和Ｘ射线光电子能谱 （ＸＰＳ）对其结构进行了分析，采用纳米压入仪（Ｔｒｉｂｏｉｎｄｅｎｔｅｒ）和真空球 －盘摩 擦试验机分别考察了薄膜的力学性能和摩擦磨损性能．结果表明：改变溅射功率密度和气压，将引起选择性溅射与 薄膜氧化程度的变化，致使薄膜Ｓ／Ｗ原子比随之变化，薄膜的Ｓ／Ｗ原子比随着溅射功率密度的增加先减小后增 大，而随着溅射气压的增大逐渐增大．薄膜Ｓ／Ｗ原子比较低时，薄膜Ｗ含量较高，薄膜结构较致密、硬度较高，但摩 擦系数较大、耐磨性能较差；随着Ｓ／Ｗ原子比的增大，薄膜中ＷＳ含量显著增加，Ｗ含量明显下降，摩擦系数降低， ２ 耐磨性能明显改善． 关键词：中频磁控溅射；ＷＳ薄膜；Ｓ／Ｗ原子比；摩擦磨损 ｘ 中图分类号：ＴＨ１１７．３ 文献标志码：Ａ 文章编号：１００４－０５９５（２０１３）０５－０５０７－０７ ＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＴｒｉｂｏｌｏｇｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＭｅｄｉｕｍ ＦｒｅｑｕｅｎｃｙＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕｔｔｅｒｅｄ ＷＳ ＦｉｌｍｓｗｉｔｈＤｉｆｆｅｒｅｎｔＳ／Ｗ Ｒａｔｉｏｓ ｘ １，３ １，２ １ １ ＸＵＳｈｕ－ｓｈｅｎｇ ，ＧＡＯＸｉａｏ－ｍｉｎｇ ，ＨＵＭｉｎｇ，ＳＵＮＪｉａ－ｙｉ， １ １ ＷＥＮＧＬｉ－ｊｕｎ ，ＬＩＵＷｅｉ－ｍｉｎ （１．ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｏｌｉｄＬｕｂｒｉｃａｔｉｏｎ，ＬａｎｚｈｏｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ， ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｌａｎｚｈｏｕ７３００００，Ｃｈｉｎａ ２．ＳｈａｎｇｈａｉＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｐａｃｅｃｒａｆｔＭｅｃｈａｎｉｓｍｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０１１０８，Ｃｈｉｎａ ３．ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００４９，Ｃｈｉｎａ）