光电技术课件摘要.ppt

1 最早用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λ=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 对于一般照明，或显示器的背照光而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λ=465nm，谱宽=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。 P型半导体多数载流子是空穴，少数载流子是电子。N型半导体多数载流子是电子，少数载流子是空穴。当P型、N型半导体结合在一起形成PN结时，载流子的浓度差引起扩散运动。P区的空穴向N区扩散，剩下带负电的受主离子；N区的电子向P区扩散，剩下带正电的施主离子。从而在靠近PN结界面的区域形成一个空间电荷区。 空间电荷区里载流子很少，是高阻区，电场的方向由N区指向P区，称为自建场。 在自建场的作用下，载流子将产生漂移运动，漂移运动的方向与扩散运动相反。漂移运动与扩散运动将会达到动态平衡状态。 低温下，本征半导体中价带被电子充满，导带是空的，所以Ef位于禁带中心； 当P型、N型半导体结合成为PN结达动态平衡时，由于一个平衡系统只能有一个费米能级，所以P区的能级要提高，N区的能级要降低，PN结能带发生弯曲。 N型半导体由于施主杂质易释放电子到导带，因此费米能级接近导带; P型半导体费米能级接近价带。 当对PN结加上正向电压，结区势垒降低。此时载流子源源不断流过结区，热平衡破坏，不再是统一的费米能级。若流过PN结的电子和空穴复合而发光， PN结区就是光辐射的有源区。 二、发光二极管（LED） Light emitting diodes 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λ=555nm），黄光（λ=590nm）和橙光(λ=610nm)，光效也提高到1lm/W。 用P-N结电致发光原理制成的发光二极管是在60年代末得到迅速发展的。LED是注入式电致发光显示器件的典型。 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λ=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。 到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。 1. 发光原理 对PN结正向注入电流，P区空穴向有源区扩散，N区电子向有源区扩散，结果电子与空穴在有源区复合，以一定频率的光能释放出来。 发光二极管的结构也是半导体PN结，通常是双异质结（同型异质结p-p或n-n和反型异质结p-n共同组成）。结与结之间是产生荧光的复合区，叫有源区。 LED的体积小，结构简单，耗电少，寿命长，造价低，是应用广泛、前景诱人的重要光源。 LED与LD的根本区别在于：LED发光是基于自发辐射，发出的是荧光，是非相干光；LD是靠两端解理面为谐振腔起反射作用来提供光的反馈，是基于受激辐射，发射的是相干光——激光。 2、发光二极管的材料与构型 GaP，Eg=2.24eV，峰值波长555nm，绿光。 GaP:N，掺N量不同，可发绿光(568nm) 或黄光(590nm)。 发光二极管的材料主要是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，如GaP、GaAs、GaN等。 GaP:ZnO，GaP中掺锌、氧，峰值波长700nm，红光。 GaAs， Eg=1.43eV ，峰值867nm，近红外光。 GaAs 1-xPx，GaAs与GaP按比例 (1-x) :x 混合的晶体。GaAs0.6P0.4，发光效率高，响应速度快，记为GaAsP。峰值波长650nm，红光，用得较普遍。 GaN，LED的有源层是INGaN多量子阱，随组分的差异可发蓝光（450nm）和发紫光（400nm）。 InGaAsP，峰值波长1.3μm。 面发光型的出光面与PN结构平面平行。面发光型LED的光功率较边发光型大，但出光面大，光发散角也大，且由于全反射现象，与光纤耦合很差。 发光二极管又可分为面发光型和边发光型。 边发光型是从PN结的一个端面（与结平面垂直）出光。边发光型LED出光面小(0.2μm×2μm