第3章_集成逻辑门电路 20120312_第5次课讲义.ppt

* 只有当A、B的输入同时为高电平时，NMOS管均导通，PMOS管都截止，输出为低电平。 * 2. CMOS或非门 当输入A、B中只要有一个输入为高电平时，两个串联的PMOS驱动管中相应的一个截止，两个并联的NMOS负载管相应的一个导通， 输出为低电平。 只有当A、B的输入同时为低电平时，PMOS管均导通，NMOS管都截止，输出为高电平。 * 3.4.5 CMOS传输门和双向模拟开关 当C为低电平时，VN和VP管均截止，输入与输出之间为高阻状态，相当于开关断开。 * 当C为高电平时，对于0至VDD之间的输入信号，两管总有一个导通，所以vI=vO，相当于开关闭合。 VN管导通条件： VP管导通条件： * 由于结构的对称性，传输门可作为双向传输器件使用，即输入和输出可以互换。 用CMOS传输门和反相器可构成双向模拟开关。 采用数字信号控制，传输模拟信号。 * 当控制端C加高电压平时，开关导通，输入信号vI 便传输到输出端，vI≈vO；当控制端C加低电平时，输入与输出之间被阻断，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 * 3.4.6 CMOS漏极开路门（OD门） * 3.4.7 CMOS三态门（TS门） 和TTL门电路一样，CMOS电路三态输出门。 1. 在CMOS反相器的基础上增加一个附加的N沟道增强型MOS驱动管VN’和一个附加的P沟道增强型MOS负载管VP’。 * 三态门原理分析