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IC工艺和版图设计 第三章 失效机制 参考文献 本章主要内容 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 表 面 效 应 热载流子注入 寄生沟道和电荷分散 齐纳蠕变 热载流子注入 当MOSFET工作在饱和区时，沟道发生夹断，结果在夹断区出现了强横的电场。随着电压的升高，夹断区会增加，但是该效应不足补偿增大的漏源电压，因此使得电场强度增大，电场使穿越夹断区的载流子加速，产生可能注入到氧化层的载流子，这些热电子在空间电荷区加速后会与晶格原子发生碰撞，散射电子部分向上运动，产生微弱的栅电流。散射空穴会沿反向运动，从衬底部分流出。 热载流子注入引起了氧化层对于的电荷的积累，所以该效应导致了MOS管阈值电压的漂移。NMOS的阈值电压增加，PMOS的阈值电压减少。 热载流子注入 注入