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- 2016-05-12 发布于江苏
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主要内容 ★ 集成电容 ★ 集成电阻 ★ 连线 一、集成电容 概 念 集成电容是二端元件,在集成电路中用于相位补偿、电源滤波、信号滤波、开关电容网络等,是最基本的无源元件之一; 集成电路中,除了专门制作的电容外,还存在许多极间电容和寄生电容。这些电容将使功耗增大,信号延迟,贷款变窄,运算误差增大,甚至产生自激; 设计时必须充分考虑电容的因素。 1. 多晶硅—扩散区电容 该电容制作在扩散区,其上极板是第一层多晶硅,下极板是扩散区,中间层的介质是氧化层。 CAB=COX*W*L=CoxAG 式中,Cox是单位氧化层电容,AG是电容面积。 举例:若要获得34.6pF的电容,需要多大面积电容。假设tox=100nm。 Cox=(8.854x10-12x3.9 F/m)/100x10-3um =(8.854x3.9*10-6 pF/um)/100x10-3um =3.46 *10-4pF/um2 AG= 34.6/3.46*10-4=105um2 需要硅片面积为105um2,面积很大,在集成电路中要尽量避免制作大电容。 这类电容具有较好的线性特性。 2. 多晶硅—多晶硅电容 该电容制作在场区上,其两个电
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