氧离子导体CDIO终期汇报要点详解.ppt

氧离子导体的制备与性能研究组员第一小组（氧化铈氧离子导体）：金韶、阮巍、王韶辉、蒋卫东第二小组(氧化铋氧离子导体）：庞璐、杨秀谨、黄诗阳、陈海潮第三小组（钼酸镧氧离子导体）：唐莹、刘柳、吴林斌指导老师吴修胜实验与课程核心知识点联系CeO2属于立方萤石结构，每个原胞都会含有4个Ce原子和8个O原子，Ce4+位于立方晶胞的顶点及面心位置，O2-填充在八个四面体空隙，为立方堆积。CeOBi203结构也属于萤石结构Bi3+位于面心立方节点处O2+占据八个四面体空隙无机材料科学基础---晶体结构钼酸镧晶体结构：在其一个单胞中，包含4个La3+离子和4个Mo6+离子位于靠近晶格的8个顶角附近。其中【LaO6】构成八面体【MoO4】构成四面体。在体心和面心有较大的自由空间，为氧离子扩散提供通道。物质的结构决定了物质的性质，例如δ一Bi2O3在730C以上直到熔点825℃的范围稳定存在，具有立方萤石结构，它的电导率较其他相态高。室温下α－Bi2O3相以p型空穴导电为主，在温度约550℃，氧分压低于1.3×10-5atm的条件下转化为n型导体。纯Ceo2从室温至熔点都是立方萤石型结构，是n型半导体，依赖小极化子迁移导电，离子导电可以忽略。La2Mo2O9也为n型半导体，样品结构中存在氧空位Vo’’，可发生氧空位传导而具有氧离子导电性。材料物理性能—电学性质α一Bi2O3在730℃以下稳定存在，具有单斜结构、呈P型导电；而δ一Bi2O3则在730C以上直到熔点825℃的范围稳定存在，具有立方萤石结构。另外，在650℃以下，还会出现具有四方结构(β-Bi2O3)和体心立方结构(γ一Bi2O3)的亚稳态相。因为温度下降时会发生相变则会使电导率下降。钼酸镧在580℃时也会发生相变使电导率降低。无机材料科学基础—相变和相图相变是指在外界条件发生变化的过程中，物相与某一特定的条件下（或临界值时）发生突变。有一级相变和二级相变两种类型。如在Bi2O3的掺杂改性实验中，δ-Bi2O3仅存在于很窄温度范围(730-825℃)。低温时由δ到α相的相变产生的体积变化；而在钼酸镧的掺杂改性实验中，La2Mo2O9在580℃附近发生由高温β相向低温α相的转变。这种转变同时伴随着体积的改变，由此可知，这两种都是一级相变。为了研究相变我们也可从相图分析Bi2O3——Y2O3相图由Bi2O3——Y2O3相图可清楚地知道，Bi2O3会在一定条件下发生相变；可以直接看出，掺杂了Y2O3之后的Bi2O3的高温稳定相δ-Bi2O3到了低温；并且可以直接从相图上看出，我们要研究的温度范围内，需掺杂的Y2O3的含量，为我们设置掺杂不同含量的Y2O3提供了依据。通过三组队的实验流程图可以知道，为改进性能均进行了掺杂实验，进行掺杂的目的就是形成固溶体。无机材料科学基础---缺陷和固溶体La2O3(Bi2O3)→2LaBi+3OOY2O3(Bi2O3)→2YBi+3OO2SrO(Bi2O3)→2SrBi’+2Oo+Vo..Sm2O3(CeO2)→2SmCe’+3Oo+Vo.. Al203(MoO3)→2AlMo’’’+3Oo+3Vo..显然，在氧化铋、氧化铈、钼酸镧中掺杂上述阳离子形成的都是置换型固溶体氧化铋组实验流程图钼酸镧组氧化铈组我们三个小组通过不同的方法先制备出了粉体共沉淀法固相法溶胶凝胶法用粉体压片然后进行烧结在进行压片前，我们也向徐海燕老师的小组进行了学习交流并收到良好效果无机材料科学基础---烧结烧结，是把粉状物料转变为致密体，是一个传统的工艺过程。烧结过程直接影响显微结构中的晶粒尺寸、气孔尺寸及晶界形状和分布。无机材料的性能不仅与材料组成（化学组成与矿物组成）有关，还与材料的显微结构有密切的关系。烧结是使材料的的预期显微结构并使材料的性能充分发挥的关键工序在烧结时应尽量避免晶体二次再结晶故应使原料的粉体粒径分布，要使粒径分布均匀，另外应该是适合的保温时间和温度或加入矿化剂控制晶界移动速率，保证气孔排除。从《材料物理性能》的第七章中可以了解到，弹性模量是反应材料抵抗应变的能力由于原子间距和结合能力随温度变化而变化，所以弹性模量对温度变化极为敏感，当温度升高原子间距变大，弹性模量降低，所以材料抵抗应变的能力降低。所以在高温烧结时，材料的弹性模量很低微小的应力就能使样品出现裂纹。材料的断裂应力随温度的变化如图所示。材料物理性能----力学性质烧结时的烧结温度和保温时间的确定。我们首先参考文献资料进行预烧结，中间也会有失败的情况，最终根据烧结过后的样片收缩率确定烧结温度和保温时间。失败案例材料研究方法----差热分析（DTA）差热分析方法我们在《材料研究方法》的课程（第五章热分析）上有所学习，它属于热分析的一种方法。差热分析实验所用仪器为差热分析仪（如右图）。将待测样品和参比样放于下