第2章 MOS器件物理基础1.pptx

2.1 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 2.2 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 2.3 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 2.4 器件模型 版图、电容、小信号模型等; NMOS管三端器件，栅(G)、源(S)、 漏(D)。 通常作为开关使用，VG高 电平，MOS管导通，D、S连接。 回答以下几个问题： VG取多大值时器件导通，换句话说阈值电压是多少？ 当MOS管导通（断开）时，源和漏之间的电阻有多大呢？ 这个电阻和端电压（漏极和源极电压大小）的关系是怎样的，是简单的线性关系吗？ 是什么限制了器件的速度呢？因此需要分析晶体管结构和物理特性。 ; NMOS器件简化图，制作在P衬底(P型半导体)，两个重掺杂的n区(n型半导体)形成源端(S)和漏端(D)，重掺杂的多晶硅作为栅(G),一层薄的SiO2(绝缘体)使栅与衬底隔开 栅极会有电流流入源极和漏极吗;Ldrawn：沟道总长度,; 源漏在物理结构上是完全对称的，为什么一边称为S(源)极，另外一边有是漏极呢，怎么区分 提供载流子的端口为S(源)，收集载流子的端口为D(漏)。源漏极可以互换，取决与各端口的电压; MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源(B、S)、衬漏(B、D)PN结必须反偏！因此对于NMOS管衬底必须接低电位;;2.1 基本概念-MOSFET的结构;四端器件; 2.1 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 2.2 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 2.3 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 2.4 器件模型 版图、电容、小信号模型等; MOS管工作原理;MOS管工作原理;当VG大于VTH，且VD大于VS时 原来被p型衬底隔开的两个n＋型区（源极和漏极）被n型导电沟道连接。因此，在正的漏极电压作用下，将产生漏极电流ID。 但是导电沟道不均匀。 ;MOS管工作原理;栅与衬底功函数差;;MOS晶体管的输出电流－电压特性的经典描述是萨氏方程。 忽略二次效应，对于NMOS管导通时的萨氏方程为： 　　　 　　　　　　　　　　　 　　VGS－Vth：MOS管的“过驱动电压” 　　L：指沟道的有效长度 　　W/L称为宽长比， ， 称为NMOS管的导电因子，μn载流子迁移率。 ID的值取决于工艺参数：μn、Cox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。 ;截止区：VGS≤Vth，ID＝0； 线性区（三极管区）：VDS≤VGS－Vth，漏极电流即为萨氏方程。 ;2.2 MOS的I/V特性-I/V特性推导;2015/12/8; 饱和区：VDS≥VGS－Vth： 漏极电流并不是随VDS增大而无限增大的，在VDS＞VGS－Vth时，MOS管进入饱和区：此时在沟道中发生了夹断现象。 萨氏方程两边对VDS求导，可求出当VDS＝VGS－Vth时，电流有最大值，其值为： 　　 这就是饱和萨氏方程。 ;;判断图1和图2中MOS管的工作状态;定义从D流向S为正;直流电阻 r0= VDS/ ID 交流电阻 r0= △VDS/ △ID 即当VDS在交流和直流电压时，MOS管所表现出的导通电阻值不一样; 饱和区： 线性区： 深三极管区：; 饱和区MOS管交流电阻 r0= △VDS/ △ID ;跨导gm;跨导gm; 2.1 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 2.2 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 2.3 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 2.4 器件模型 版图、电容、小信号模型等; 没有考虑衬底电位对MOS管性能的影响，假设了所有器件的衬底都与器件的源端相连，即VBS＝0 但在实际的模拟集成电路中，由于MOS器件制作在同一衬底上，就不可能把所有的MOS管的源极与公共衬底相接，即VBS??0;例子;当衬底Vb相对源极Vs更负时， Qb增加，Vth增加 ;衬底偏置效应（体效应）;如何描述体效应 为了衡量体效应对MOS管的I/V的影响，定义衬底跨导 衬底跨导：在源漏电压与栅源电压为常量时漏极电流随衬底电压的变化关系： 则衬底电位对漏极电流的影响可用一个电流源gmbVBS表示。 ; 在饱和区，gmb能被表示成 又因为 所以 ;而根据阈值电压与VBS之间的关系可得： 　 因此有： 上式中η=gmb/gm ，gmb正