自动检测技术及应用第八章.pdf

第八章 霍尔传感器 本章主要学习霍尔传感器 的工作原理、霍尔集成电路的 特性及其在检测技术中的应 用，还涉及交直流电流传感器 以及安全栅。 霍尔元件是 一种四端元件 第一节 霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场 ， 磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在 垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH ，这 种现象称为霍尔效应。 d a b c 磁感应强度B为零时的情况 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势 也就越高。霍尔电势EH 可用下式表示： E =K IB H H 霍尔效应演示 d a b c 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的 作用，向内侧 （d侧）偏移，在半导体薄片c、d方 向的端面之间建立起霍尔电势。 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线 成某一角度 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁 感应强度是其法线方向 （与薄片垂直的方向）的分 量，即Bcos，这时的霍尔电势与法线的夹角的余弦成 正比： E =K IBcos H H 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势演示 d a b c 结论：霍尔电势与输入电流I 、磁感应强度B成正比。 当B 的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。 如果所施加的磁场为交变磁场，霍尔电势为同频率 的交变电势。 霍尔元件的主要外特性参数 最大磁感应强度BM 线性区 上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯 4 至正的多少高斯？（1T ＝10 Gs ） 霍尔元件的主要外特性参数 （续） 最大激励电流IM : 由于霍尔电势随激励电流增大而增大，故 在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励 电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度 升高，从而引起霍尔电势的温漂增大，因此每 种型号的元件均规定了相应的最大激励电流， 它的数值从几毫安至十几毫安。 以下哪一个激励电流的数值较为妥当？ 8 μA 0.8mA 8mA 80mA 第二节 霍尔集成电路 霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。 线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差 动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直 接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件 如UGN3501等。 线性型三端 霍尔集成电路 线性型霍尔特性