第2章静电场2011要点.ppt

第2章 静电场分析 2．1 静电场的基本规律 2．1．2 场强和电位Φ 2．1．3 静电场的基本方程 立体角 证明高斯定理（2.17）式 2.1.4 场强和电位Φ的计算 例题2. 2 2． 方法2 3． 方法3 2．1．5 静电场中的导体 2．1．6 静电场中的电介质 2．电介质极化的机理和电偶极子模型 1． 电介质的分类 2．1．7 电力线方程和等位面方程 2． 等位面方程 2．2 静电场的边界条件 2．2．1 两种电介质界面上的边界条件 ⑵　E切向分量的边界条件 ⑶ E线和D线在分界面上的折射 2． 电位的边界条件 2．2．2 导体与电介质分界面上的边界条件 2．电位Φ的边界条件 2．3 泊松方程和拉普拉斯方程 3． 点电荷的泊松方程 2.4 唯一性定理 2.4.1 格林定理 2．4．2 静电场的边值问题 2．4．3 唯一性定理 利用反证法证明唯一性定理 2. 唯一性定理的意义和作用 复习 ⑶ E线和D线在分界面上的折射 （4） 导体与电介质分界面上的边界条件 2．5 导体系统的电容 2．5．2 部分电容 3． 部分电容 2.6 静电场的能量与力 1.电荷系统的能量 2． 静电场的能量 2.6.2 利用虚位移原理计算电场力 2. 若各导体电位不变 2．7 恒定电场（恒定电流场） 2．7．1 电流与电流密度 2．电流元 2．7．2 恒定电场的基本方程和边界条件 2．位函数方程 ⑵　电位的边界条件 2．7．3 导电媒质中的传导电流 2． 电阻和电导 3． 欧姆定律 4． 焦耳定律 5． 导体内的净余电荷 2．3 导电媒质中恒定电场与静电场的比拟 1． 接地的概念 2．接地电阻 3． 跨步电压 2．8 静电场的应用 2． 电偏转 3． 电子束的电场聚焦 图2.8.3 电子束的电场聚焦 2.8.2 喷墨打印机 图2.8.6 喷墨打印机的工作原理 解：墨滴的质量为 2．8．3 静电除尘 2．8．4 静电复印 2．8．5 静电屏蔽 2． 被动屏蔽 3． 屏蔽效果 2．8．6 静电的危害 2．8．7 接触式静电电压表 （b）电子在z方向上的加速度和速度可分别由（2－8－4）式和 (2－8－5) 式求得 （c）电子将在时刻t＝T时离开偏转板，而 因此z方向上的速度为 电子的总位移可由式（2－8－13）求得 象光束通过凸透镜（或透镜组）时，因玻璃的折射作用使光束聚焦成一个又小又亮的点一样，也能使电子束通过一个聚焦电场，在电场力的作用下，电子运动轨道改变而会合于一点，结果在荧光屏上得到一个又小又亮的光点，产生这个聚焦的静电场装置，在电子光学里称为静电电子透镜，如图2.8.3所示。 电子枪内的聚焦电极A1与第二加速电极A2组成一个静电透镜，工作原理如下：图2. 8.3中间是A1与A2之间的电场分布的截面图（V2＞V1），虚线为等位线，实线为电力线。电场对Z轴是对称分布的，电子束中某个散离轴线的电子沿轨道S进入聚焦电场，在电场的前半区（左边）这个电子受到与电力线相切方向的作用力f。f可分解为垂直指向轴线的分力fr与平行于轴线的分力fz。fr的作用使电子运动向轴线靠拢，起聚焦作用；fz的作用使 电子沿轴线方向得到加速度。电子到达电场的后半区时，受到的作用力f也分解为相应的f r和f z两个分量，f z对电子仍然起加速作用，f r使电子离开轴线，起散焦作用。但因为在整个电场区域里电子都受到同方向的沿Z轴的作用力（fz）。电子在后半区的轴向速度比在前半区的大得多，因此，在后半区，电子受f z的作用时间短得多。获得的离轴速度比在前半区获得的向轴速度小。总的效果是电子向轴线靠拢，整个电场起聚焦作用。改变A1与A2之间的电位差，相当于改变电子透镜的焦距，当η＝V2／V1为某一个确定的常数时，电子在荧光屏上会聚于一点，实现了电聚焦，这个条件称为电聚焦条件。 所以单位长度上的电荷量为 单位长度上的电容量为 本题还有另一种解法：先求单位长度的漏电阻 对比项目 恒定电场 静电场 基本方程 导体内没有电荷分布 导体内没有电荷分布 没有电荷分布的区域 没有电荷分布的区域 边界条件 积分量 本构关系 恒定电场的方程就变为静电场的方程。所以恒定电场与静电场的性质也相似，利用这种相似性可以解决一些理论问题和实际问题： ⑴　静电场中的一些结论可以推广到恒定电场中，例如求解静电场的一些基本方法（例如直接积分法、分离变量法、镜像法等）也都可以用来求解恒定电场的问题。