第二章晶体生长要点.pptVIP

微电子技术工艺原理 天津大学电子信息工程学院 电子科学与技术系 Xie_sheng06@ 第26教学楼D区431室 Contents SiO2 (s) +SiC (s) → Si (s)+SiO (g)+CO (g), 冶金级硅:98%； Si (s)+3HCl (g) → SiHCl3 (g)+H2 (s) 分馏、除杂：三氯硅烷室温下呈液态沸点为32℃，利用分馏法去除杂质； (4) SiHCl3 (g)+ H2 (s) → Si (s)+ 3HCl (g)，EGS Si 多晶硅生料 （1）熔硅 将坩埚内多晶料全部熔化；（注意事项：熔硅时间不易长） （2）引晶 将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触，籽晶向上拉，控制温度使熔体在籽晶上结晶； （3）收颈 在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm。 若晶体生长时，熔体中的初始重量M0，初始掺杂浓度C0 (w%),当生长出重量为M的晶体时，熔体剩余重量为S, 若晶体增加量为dM，晶体中的杂质浓度为Cs (w%)，则熔体中的杂质减少量