- 1、本文档共51页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
PECVD系统 PECVD 系统(电容耦合) 6.3 CVD多晶硅 6.3.1 多晶硅薄膜的特性 1. 结构特性 ①由无数生长方向各不相同的小晶粒(100nm量级)组成;主要生长方向(优选方向)--110。 ②晶粒间界具有高密度缺陷和悬挂键。 2. 物理特性:扩散系数明显高于单晶硅; 3. 电学特性 ①电阻率远高于单晶硅;WHY? ②晶粒尺寸大的薄膜电阻率小。 6.3.2 CVD多晶硅 工艺:LPCVD; 气体源:气态SiH4; 淀积过程: ①吸附:SiH4(g)→ SiH4(吸附) ②热分解: SiH4(吸附) = SiH2(吸附)+H2(g) SiH2(吸附) = Si(吸附)+H2(g) ③淀积: Si(吸附)= Si(固) ④脱吸、逸出: SiH2、H2脱离表面,逸出反应室。 总反应式: SiH4(吸附) = Si(固体)+2H2(g) 6.3 CVD多晶硅 特点: ①与Si及SiO2的接触性能更好; ②台阶覆盖性好。 缺点: SiH4易气相分解。 用途:欧姆接触、栅极、互连线等材料。 多晶硅掺杂 ①扩散:电阻率低;温度高; ②离子注入:电阻率是扩散的10倍; ③原位掺杂:淀积过程(模型)复杂; 实际应用 6.3 CVD多晶硅 6.4 CVD二氧化硅 6.4.1 CVD SiO2的方法 1. 低温CVD ①气态硅烷源 硅烷和氧气: APCVD、LPCVD、PECVD 淀积机理: SiH4+O2 ~400℃ SiO2 + H2 硅烷和N2O(NO) :PECVD 淀积机理: SiH4+N2O 200-400℃ SiO2 + N2 + H2O 原位掺P:形成PSG 淀积机理: PH3(g)+5O2=2P2O5(固)+6H2 优点:温度低;反应机理简单。 缺点:台阶覆盖差。 6.4 CVD二氧化硅 ②液态TEOS源:PECVD 淀积机理: Si(OC2H5)4+O2 250-425℃ SiO2+H2O+CXHY 优点:安全、方便;厚度均匀;台阶覆盖好。 缺点: SiO2膜质量较热生长法差; SiO2膜含C、有机原子团。 2. 中温LPCVD SiO2 温度:680-730℃ 化学反应:Si(OC2H5)4 → SiO2+2H2O+4C2H4 优点:较好的保形覆盖。 6.4 CVD二氧化硅 6.4.2 台阶覆盖 保形覆盖:所有图形上淀积 的薄膜厚度相同,也称共性 (conformal)覆盖。 覆盖模型: ①淀积速率正比于气体分子到达 表面的角度; ②特殊位置的淀积机理: a)直接入射b)再发射c)表面迁移 6.4 CVD二氧化硅 保形覆盖的关键: ①表面迁移:与气体分子黏滞系数成反比; ②再发射 6.4 CVD二氧化硅 6.4.3 CVD掺杂SiO2 1. PSG 工艺:原位掺杂PH3; 组分:P2O5 和 SiO2; 磷硅玻璃回流( P-glass flow )工艺:PSG受热变软易流动,可提供一平滑的表面;也称高温平坦化(1000-1100℃) 2. BPSG 工艺:原位掺杂PH3 、B2H6; 组分:B2O3-P2O5-SiO2; 回流温度:850 ℃; PSG回流 6.5 CVD Si3N4 Si3N4薄膜的用途: ①最终钝化膜和机械保护膜:淀积温度低;能有效阻挡水、钠 离子及B、P、As、等各种杂质的扩散;有很强的抗划伤能力; ②选择性氧化的掩蔽膜:Si3N4很难氧化; ③MOSFETs中的侧墙:LDD (轻掺杂源漏)结构的侧墙; 自对准硅化物的钝化层侧墙; ④浅槽隔离的CMP停止层。 6.5 CVD Si3N4 Si3N4薄膜的特性: ①扩散掩蔽能力强,尤其对钠、水汽、氧; ②对底层金属可保形覆盖; 钝化层 ③针孔少; ④介电常数较大:(εSi3N4=6-9,εSiO2=4.2) 不能作层间的绝缘层。 淀积方法:根据用途选择; ①DRAM的电容介质:LPCVD; ②最终钝化膜:PECVD(200-400℃) 6.5 CVD Si3N4 CVD Si3N4薄膜工艺 1. LPCVD ①反应剂: SiH2Cl2 + NH3 → Si3N4+H2+HCl ②温度:700-900 ℃; ③速率:与总压力(或pSiH2Cl2)成正比; ④特点:密度高;不易被稀HF腐蚀; 化
您可能关注的文档
- 第2章过程通道和数据采集系统讲解.ppt
- 第5讲混凝土设备及预应力设备讲解.ppt
- 迪拜哈利法塔(拷贝)讲解.ppt
- 第2章行车荷载-3讲解.ppt
- 第5讲机械运动讲解.ppt
- 迪拜哈利法塔讲解.ppt
- 第2章环境与环境科学讲解.ppt
- 第2章换填垫层法讲解.ppt
- 第5讲脚手架工程讲解.ppt
- 第2章会计处理方法讲解.ppt
- 2024年秋东财个人财务规划在线作业三3.doc
- 2024年餐饮服务与管理测试题及答案.doc
- 2024年深圳航空场办管理专员江西基地招聘试题及答案解析.doc
- 2024年个人对照检查材料医生版.docx
- 课件elec 5520pmic电荷泵部分wing-hung ki qp4 stepdown9.pdf
- 软件设计工具期末复习.pdf
- 一般信息良好储存运输637d shipping practices0637.pdf
- 应用说明1简介axis tuning2tn72轴调校.pdf
- 2021-2022年浙江省绍兴市上虞区六年级下册期末英语试卷及答案(人教PEP版).pdf
- 2024年初中英语现在完成时专项练习题及答案.doc
最近下载
- 一种基于遗传算法的飞机再次出动准备优化方法.pdf VIP
- QC R9652-2017 客货共线铁路桥涵工程施工技术规程.pdf
- 急诊科.护理质控小组职责.pdf VIP
- 1127 实用卫生统计学-国家开放大学2021年7月至2020年1月期末考试真题及答案(202001-202107共五套).pdf
- 国家科技重大专项项目课题科技报告格式.DOC
- 学校办公室年度工作总结.doc VIP
- 大学新校区扩建工程教学楼施工组织设计方案.doc
- 行测题库2023及答案2023.docx VIP
- 2023年河北省衡水市市直事业单位招聘笔试参考题库(共500题)答案详解版.docx
- 农村妇女两癌检查项目督导表.docx VIP
文档评论(0)